三维集成电路TSV耦合模型建立与噪声分析
| 摘要 | 第10-12页 |
| Abstract | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.1 集总TSV建模 | 第16-17页 |
| 1.2.2 阵列TSV建模 | 第17-18页 |
| 1.2.3 TSV耦合噪声分析 | 第18-20页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第20-21页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第21-23页 |
| 第二章 TSV耦合模型建立 | 第23-41页 |
| 2.1 TSV互连模型建立及验证 | 第23-27页 |
| 2.2 TSV寄生参数的影响因素 | 第27-31页 |
| 2.2.1 TSV电阻的影响因素 | 第27页 |
| 2.2.2 TSV寄生电容的影响因素 | 第27-31页 |
| 2.3 TSV寄生电容解析式优化及验证 | 第31-34页 |
| 2.4 TSV寄生电容的改善方法 | 第34-35页 |
| 2.4.1 调整平带电压 | 第34页 |
| 2.4.2 调整掺杂浓度 | 第34-35页 |
| 2.4.3 调整TSV尺寸 | 第35页 |
| 2.5 TSV耦合模型建立及优化 | 第35-39页 |
| 2.5.1 两路TSV耦合模型 | 第36-37页 |
| 2.5.2 多路TSV耦合模型及优化 | 第37-39页 |
| 2.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 TSV耦合噪声分析 | 第41-63页 |
| 3.1 耦合噪声的形式及危害 | 第41-42页 |
| 3.2 TSV时域特性分析 | 第42-48页 |
| 3.2.0 单端输入时域特性分析 | 第42-45页 |
| 3.2.1 双端输入时域特性分析 | 第45-46页 |
| 3.2.2 TSV时域特性与温度的关系 | 第46-48页 |
| 3.3 TSV频域特性分析 | 第48-52页 |
| 3.3.1 TSV频域特性与尺寸的关系 | 第48-50页 |
| 3.3.2 TSV频域特性与布局的关系 | 第50-52页 |
| 3.4 TSV耦合噪声抑制方法 | 第52-58页 |
| 3.4.1 缓冲单元法 | 第52-57页 |
| 3.4.2 电源地隔离法 | 第57-58页 |
| 3.5 TSV延迟分析 | 第58-61页 |
| 3.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 抑制耦合噪声的TSV布局研究 | 第63-75页 |
| 4.1 TSV耦合噪声分析方法 | 第63-66页 |
| 4.1.1 GDS文件解析 | 第64-65页 |
| 4.1.2 TSV寄生网络建立 | 第65-66页 |
| 4.1.3 耦合噪声分析及优化策略 | 第66页 |
| 4.2 抑制耦合噪声的 TSV 安全距离 | 第66-73页 |
| 4.2.1 TSV间距法 | 第68-71页 |
| 4.2.2 电源地隔离法 | 第71-72页 |
| 4.2.3 其他方法 | 第72-73页 |
| 4.3 抑制耦合噪声的TSV开销分析 | 第73-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结束语 | 第75-77页 |
| 5.1 工作总结 | 第75页 |
| 5.2 研究展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第84页 |
