摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
插图索引 | 第13-15页 |
附表索引 | 第15-16页 |
第1章 绪论 | 第16-35页 |
·引言 | 第16-19页 |
·氧化物半导体简介 | 第19-25页 |
·ZnO 磁性的研究进展 | 第21-23页 |
·In_2O_3磁性的研究进展 | 第23-25页 |
·物质的磁性 | 第25-27页 |
·d~0铁磁性 | 第27-32页 |
·d~0铁磁性的产生 | 第27-29页 |
·d~0铁磁性的研究现状 | 第29-32页 |
·本论文研究意义及主要内容 | 第32-35页 |
第2章 理论基础与计算方法 | 第35-52页 |
·引言 | 第35-36页 |
·薛定谔方程 | 第36-37页 |
·绝热近似 | 第37页 |
·单电子近似 | 第37-38页 |
·Hartree-Fock 近似 | 第38-40页 |
·密度泛函理论 | 第40-48页 |
·Hohenberg-Kohn 定理 | 第41-42页 |
·Kohn-Sham 方程 | 第42-44页 |
·交换关联泛函 | 第44-45页 |
·赝势方法 | 第45-46页 |
·Kohn-Sham 方程求解 | 第46-48页 |
·密度泛函理论小结 | 第48页 |
·VASP 程序包简介 | 第48-52页 |
·软件主要功能 | 第48-49页 |
·计算步骤介绍 | 第49-50页 |
·VASP 程序亮点 | 第50页 |
·VASP5.2 新功能 | 第50-52页 |
第3章 未掺杂 ZnO/In_2O_3材料的 d~0铁磁性 | 第52-66页 |
·引言 | 第52-54页 |
·计算模型和方法 | 第54-58页 |
·ZnO 晶体结构与建模 | 第54-55页 |
·ZnO 能带结构计算 | 第55-57页 |
·In_2O_3晶体结构与模型 | 第57-58页 |
·缺陷浓度计算方法 | 第58页 |
·结论与分析 | 第58-64页 |
·ZnO 材料本征缺陷磁矩的影响 | 第58-63页 |
·In_2O_3材料本征缺陷磁矩的影响 | 第63-64页 |
·本章小结 | 第64-66页 |
第4章 通过施-受主复合补偿稳定空穴诱导氧化锌中的 d~0铁磁性 | 第66-79页 |
·引言 | 第66-68页 |
·计算模型和方法 | 第68-71页 |
·含缺陷超胞建模 | 第68-70页 |
·缺陷形成能计算方法 | 第70-71页 |
·结论与分析 | 第71-78页 |
·缺陷位置分析 | 第71-73页 |
·结合能与缺陷相对位置的关系 | 第73-74页 |
·各缺陷态密度分析 | 第74-77页 |
·钝化共掺杂自旋态密度分析 | 第77-78页 |
·本章小结 | 第78-79页 |
第5章 In_2O_3量子点的铁磁性研究 | 第79-92页 |
·引言 | 第79-80页 |
·计算模型和方法 | 第80-83页 |
·In_2O_3晶体结构 | 第80-82页 |
·裸量子点的模型构建 | 第82-83页 |
·结论与分析 | 第83-90页 |
·量子点表面悬挂键对铁磁性的影响 | 第83-87页 |
·In_2O_3量子点内部本征缺陷铁磁性的影响 | 第87-88页 |
·Co 掺杂对 In_2O_3量子点铁磁性影响 | 第88-90页 |
·本章小结 | 第90-92页 |
第6章 应变调制 C 掺杂 In_2O_3的 d~0铁磁性 | 第92-105页 |
·引言 | 第92-94页 |
·计算模型和方法 | 第94-98页 |
·未受外力条件下 In_2O_3电子结构 | 第94-96页 |
·应变条件下 In_2O_3体积和空位浓度变化趋势 | 第96-97页 |
·应变条件下对掺杂缺陷的影响 | 第97-98页 |
·结论与分析 | 第98-103页 |
·应变调节下单 C 原子掺杂 In_2O_3体系磁矩的影响 | 第98-100页 |
·应变调节下双 C 原子掺杂 In_2O_3体系磁矩的影响 | 第100-103页 |
·本章小结 | 第103-105页 |
总结与展望 | 第105-108页 |
1. 工作总结 | 第105-106页 |
2. 未来展望 | 第106-108页 |
参考文献 | 第108-122页 |
附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第122-123页 |
附录 B 攻读学位期间参与科研项目 | 第123-124页 |
致谢 | 第124页 |