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缺陷与应变调制ZnO和In2O3半导体d0铁磁性的第一原理计算研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
插图索引第13-15页
附表索引第15-16页
第1章 绪论第16-35页
   ·引言第16-19页
   ·氧化物半导体简介第19-25页
     ·ZnO 磁性的研究进展第21-23页
     ·In_2O_3磁性的研究进展第23-25页
   ·物质的磁性第25-27页
   ·d~0铁磁性第27-32页
     ·d~0铁磁性的产生第27-29页
     ·d~0铁磁性的研究现状第29-32页
   ·本论文研究意义及主要内容第32-35页
第2章 理论基础与计算方法第35-52页
   ·引言第35-36页
   ·薛定谔方程第36-37页
   ·绝热近似第37页
   ·单电子近似第37-38页
   ·Hartree-Fock 近似第38-40页
   ·密度泛函理论第40-48页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第41-42页
     ·Kohn-Sham 方程第42-44页
     ·交换关联泛函第44-45页
     ·赝势方法第45-46页
     ·Kohn-Sham 方程求解第46-48页
     ·密度泛函理论小结第48页
   ·VASP 程序包简介第48-52页
     ·软件主要功能第48-49页
     ·计算步骤介绍第49-50页
     ·VASP 程序亮点第50页
     ·VASP5.2 新功能第50-52页
第3章 未掺杂 ZnO/In_2O_3材料的 d~0铁磁性第52-66页
   ·引言第52-54页
   ·计算模型和方法第54-58页
     ·ZnO 晶体结构与建模第54-55页
     ·ZnO 能带结构计算第55-57页
     ·In_2O_3晶体结构与模型第57-58页
     ·缺陷浓度计算方法第58页
   ·结论与分析第58-64页
     ·ZnO 材料本征缺陷磁矩的影响第58-63页
     ·In_2O_3材料本征缺陷磁矩的影响第63-64页
   ·本章小结第64-66页
第4章 通过施-受主复合补偿稳定空穴诱导氧化锌中的 d~0铁磁性第66-79页
   ·引言第66-68页
   ·计算模型和方法第68-71页
     ·含缺陷超胞建模第68-70页
     ·缺陷形成能计算方法第70-71页
   ·结论与分析第71-78页
     ·缺陷位置分析第71-73页
     ·结合能与缺陷相对位置的关系第73-74页
     ·各缺陷态密度分析第74-77页
     ·钝化共掺杂自旋态密度分析第77-78页
   ·本章小结第78-79页
第5章 In_2O_3量子点的铁磁性研究第79-92页
   ·引言第79-80页
   ·计算模型和方法第80-83页
     ·In_2O_3晶体结构第80-82页
     ·裸量子点的模型构建第82-83页
   ·结论与分析第83-90页
     ·量子点表面悬挂键对铁磁性的影响第83-87页
     ·In_2O_3量子点内部本征缺陷铁磁性的影响第87-88页
     ·Co 掺杂对 In_2O_3量子点铁磁性影响第88-90页
   ·本章小结第90-92页
第6章 应变调制 C 掺杂 In_2O_3的 d~0铁磁性第92-105页
   ·引言第92-94页
   ·计算模型和方法第94-98页
     ·未受外力条件下 In_2O_3电子结构第94-96页
     ·应变条件下 In_2O_3体积和空位浓度变化趋势第96-97页
     ·应变条件下对掺杂缺陷的影响第97-98页
   ·结论与分析第98-103页
     ·应变调节下单 C 原子掺杂 In_2O_3体系磁矩的影响第98-100页
     ·应变调节下双 C 原子掺杂 In_2O_3体系磁矩的影响第100-103页
   ·本章小结第103-105页
总结与展望第105-108页
 1. 工作总结第105-106页
 2. 未来展望第106-108页
参考文献第108-122页
附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录第122-123页
附录 B 攻读学位期间参与科研项目第123-124页
致谢第124页

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