| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·微结构硅材料及其发展 | 第12-15页 |
| ·多孔硅及其发展 | 第12-13页 |
| ·黑硅的提出及发展 | 第13-15页 |
| ·金属与半导体接触背景介绍 | 第15-19页 |
| ·金属与半导体接触的发展简史 | 第15-16页 |
| ·金属与黑硅接触的研究现状 | 第16-19页 |
| ·样品制备 | 第16-18页 |
| ·电学性能研究 | 第18-19页 |
| ·研究内容和技术路线 | 第19-21页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| ·技术路线 | 第20-21页 |
| 第二章 金属与半导体接触原理及测试方法 | 第21-34页 |
| ·金属与半导体接触势垒的形成机理 | 第21-23页 |
| ·金属功函数与半导体电子亲和能 | 第21-22页 |
| ·阻挡层与反阻挡层的形成 | 第22-23页 |
| ·金属与半导体接触中的电极制备工艺 | 第23-27页 |
| ·真空热蒸发 | 第23-24页 |
| ·溅射 | 第24-25页 |
| ·电镀 | 第25-26页 |
| ·化学镀 | 第26-27页 |
| ·金属与半导体接触的电学性能测试 | 第27-31页 |
| ·I-V 性能测试 | 第27-28页 |
| ·接触电阻值的测试 | 第28-29页 |
| ·欧姆接触电阻率的测试 | 第29-31页 |
| ·欧姆电接触制备的相关理论 | 第31-33页 |
| ·接触势垒的影响因素 | 第31页 |
| ·欧姆电接触的主要标准 | 第31-32页 |
| ·欧姆接触制备方法研究 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 黑硅材料制备及金属与黑硅欧姆接触实验方案设计 | 第34-42页 |
| ·电化学法制备黑硅 | 第34-37页 |
| ·基本原理 | 第34-35页 |
| ·单槽电化学法制备黑硅 | 第35-36页 |
| ·黑硅材料微观形貌观察 | 第36-37页 |
| ·金属与黑硅欧姆接触实验方案设计 | 第37-39页 |
| ·金属沉积工艺选择 | 第37-38页 |
| ·金属材料选择 | 第38页 |
| ·热处理工艺方案 | 第38-39页 |
| ·欧姆接触电性能测试方案设计 | 第39-41页 |
| ·金属/黑硅/单晶硅/金属纵向 I-V 特性测试 | 第39-40页 |
| ·圆点形传输线模型 | 第40-41页 |
| ·圆环尺寸设计 | 第40页 |
| ·传输线模型光刻板设计 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 金属与黑硅电接触的制备及性能研究 | 第42-64页 |
| ·真空热蒸发 | 第42-48页 |
| ·Al/BS 接触 | 第42-44页 |
| ·微观形貌分析 | 第42-43页 |
| ·电学性能 | 第43-44页 |
| ·Ni/BS 接触 | 第44-48页 |
| ·微观形貌分析 | 第44-45页 |
| ·电学性能 | 第45-48页 |
| ·磁控溅射 | 第48-50页 |
| ·微观形貌分析 | 第48-49页 |
| ·电学性能 | 第49-50页 |
| ·常规化学镀 | 第50-57页 |
| ·化学镀的前期探索研究 | 第50-53页 |
| ·样品制备 | 第51-52页 |
| ·实验结果 | 第52-53页 |
| ·NiP/BS 接触 | 第53-57页 |
| ·微观形貌分析 | 第53-54页 |
| ·电学性能 | 第54-57页 |
| ·直接化学镀 | 第57-61页 |
| ·NiP/BS 接触微观形貌分析 | 第58页 |
| ·NiP/BS 接触电学性能测试 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |