| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·课题研究背景与进展 | 第7-9页 |
| ·GaN基材料的研究进展 | 第7-8页 |
| ·GaN基材料在光电探测领域的研究情况 | 第8-9页 |
| ·主要研究工作与研究方法 | 第9-10页 |
| ·论文内容与结构 | 第10页 |
| ·小结 | 第10-11页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结pin型光电探测器的工作原理 | 第11-27页 |
| ·光电探测的基本原理 | 第12-17页 |
| ·光吸收 | 第12-13页 |
| ·量子效率 | 第13-14页 |
| ·响应度 | 第14-15页 |
| ·光谱响应 | 第15-16页 |
| ·响应时间和频率响应 | 第16-17页 |
| ·不同结构的探测器的比较 | 第17-18页 |
| ·p-i-n型光电探测器 | 第18-22页 |
| ·p-i-n型光电二极管简介 | 第18-19页 |
| ·p-i-n型光电探测器的工作原理 | 第19-20页 |
| ·p-i-n结构分析及其对探测性能的影响 | 第20-22页 |
| ·AlGaN/GaN异质结p-i-n型光电探测器 | 第22-25页 |
| ·小结 | 第25-27页 |
| 第三章 AlGaN/GaN异质结界面极化效应 | 第27-39页 |
| ·极化效应的原理 | 第27-30页 |
| ·极化效应的模型与计算 | 第30-33页 |
| ·自发极化 | 第30-31页 |
| ·压电极化 | 第31-33页 |
| ·极化诱生的界面电荷及二维电子气 | 第33-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第四章 AlGaN/GaN pin型探测器的ISE TCAD模拟 | 第39-59页 |
| ·器件结构的生成 | 第39-40页 |
| ·器件模拟 | 第40-46页 |
| ·载流子输运模型 | 第40-42页 |
| ·迁移率模型 | 第42-43页 |
| ·载流子产生 | 第43页 |
| ·载流子复合 | 第43-44页 |
| ·光吸收 | 第44-46页 |
| ·模拟结果与分析 | 第46-57页 |
| ·普通AlGaN/GaN p-i-n结构的特性分析 | 第47-49页 |
| ·本征层的厚度对器件的影响 | 第49-50页 |
| ·界面极化电荷对器件性能的影响 | 第50-55页 |
| ·温度对器件性能的影响 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 研究成果 | 第67-68页 |
