| 第一章 绪论 | 第1-11页 |
| §1-1 砷化镓微波功率场效应晶体管的发展及其重要地位 | 第8-9页 |
| §1-2 研究高击穿电压GaAS MESFET的重要意义 | 第9-10页 |
| §1-3 论文主要研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 GaAs MESFET的工作原理 | 第11-16页 |
| §2-1 GaAs MESFET的基本结构 | 第11页 |
| §2-2 GaAs MESFET的工作原理 | 第11-13页 |
| §2-3 GaAs MESFET的电流电压特性 | 第13-16页 |
| 第三章 GaAs MESFET的制备工艺 | 第16-30页 |
| §3-1 湿法腐蚀 | 第16-17页 |
| §3-2 图形光刻 | 第17-18页 |
| §3-3 欧姆接触形成 | 第18-19页 |
| §3-4 肖特基势垒形成 | 第19-21页 |
| §3-5 钝化工艺 | 第21-25页 |
| §3-6 干法腐蚀 | 第25-27页 |
| §3-7 空气桥和通路孔 | 第27-30页 |
| 第四章 GaAs MESFET击穿机理及影响击穿特性的主要因素 | 第30-32页 |
| §4-1 GaAs MESFET击穿机理 | 第30-31页 |
| §4-2 影响GaAs MESFET击穿特性的主要因素 | 第31-32页 |
| 第五章 提高GaAs MESFET击穿电压的实验研究 | 第32-42页 |
| §5-1 新型GaAs MESFET的研制 | 第32-37页 |
| §5-2 硫钝化提高击穿电压的实验研究 | 第37-39页 |
| §5-3 提高硫钝化稳定性的实验研究 | 第39-42页 |
| 第六章 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第48页 |
