| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 英语缩略语 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| ·课题的研究背景 | 第14-18页 |
| ·ESD 产生模型与测试方法 | 第18-27页 |
| ·ESD 产生模型 | 第18-22页 |
| ·ESD 测试组合方法 | 第22-25页 |
| ·ESD 测试手段 | 第25-27页 |
| ·论文的研究内容和贡献 | 第27-28页 |
| ·论文的结构 | 第28-30页 |
| 第二章 全芯片ESD保护器件与电路 | 第30-56页 |
| ·ESD 保护器件 | 第31-45页 |
| ·二极管 | 第33-36页 |
| ·二极管串 | 第36-37页 |
| ·金属氧化物晶体管 | 第37-40页 |
| ·厚氧化物晶体管 | 第40-41页 |
| ·可控硅器件 | 第41-44页 |
| ·ESD 保护器件比较 | 第44-45页 |
| ·全芯片ESD 保护电路 | 第45-50页 |
| ·输入输出I/O 的ESD 保护电路 | 第46-47页 |
| ·电源箝位ESD 保护电路 | 第47-50页 |
| ·轨到轨ESD 保护电路 | 第50页 |
| ·全芯片ESD 保护网络 | 第50-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 第三章 集成于SOC 设计流程中的全芯片ESD保护设计方法 | 第56-70页 |
| ·传统的ESD保护电路设计流程 | 第56-58页 |
| ·集成于 SOC 设计流程中的全芯片 ESD 保护设计方法 | 第58-69页 |
| ·器件级ESD设计流程 | 第60-62页 |
| ·电路级ESD设计流程 | 第62-66页 |
| ·芯片级ESD设计流程 | 第66-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第四章 版图参数与布局对GGNMOS器件负阻特性的影响 | 第70-91页 |
| ·单叉指GGNMOS 器件的优化设计 | 第70-84页 |
| ·沟道长度 | 第72-77页 |
| ·沟道宽度 | 第77-79页 |
| ·硅化物阻挡层宽度与漏端接触孔到栅的间距 | 第79-84页 |
| ·源极有源区与衬底扩散之间距离 | 第84页 |
| ·多叉指GGNMOS 器件的优化设计 | 第84-89页 |
| ·叉指个数 | 第84-86页 |
| ·多叉指GGNMOS器件版图布局 | 第86-89页 |
| ·小结 | 第89-91页 |
| 第五章 GGNMOS 电路级模型的建立 | 第91-127页 |
| ·GGNMOS 器件集总模型的建立 | 第91-103页 |
| ·MOSFET 的漏源电流 IDS | 第93-94页 |
| ·寄生三极管的基极和集电极电流IB 和IC | 第94-96页 |
| ·雪崩碰撞电离电流Igen | 第96-97页 |
| ·雪崩倍增因子模型 | 第97-99页 |
| ·衬底电阻模型 | 第99-102页 |
| ·漏端电阻 | 第102-103页 |
| ·GGNMOS集总模型的Verilog-A描述 | 第103-114页 |
| ·仿真模型结构图 | 第103-104页 |
| ·模块的Verilog-A描述 | 第104-109页 |
| ·参数提取 | 第109-112页 |
| ·仿真结果 | 第112-114页 |
| ·GGNMOS 瞬态宏模型 | 第114-118页 |
| ·GGNMOS TLP 瞬态电压特性 | 第114-115页 |
| ·GGNMOS 瞬态模型 | 第115-118页 |
| ·设计实例——白光LED 驱动芯片ESD 保护电路设计 | 第118-126页 |
| ·ESD 保护电路设计指标 | 第119-120页 |
| ·ESD 保护电路设计 | 第120-123页 |
| ·仿真结果 | 第123-124页 |
| ·测试方式与结果 | 第124-126页 |
| ·小结 | 第126-127页 |
| 第六章 全芯片级ESD保护设计与仿真 | 第127-144页 |
| ·全芯片ESD 验证 | 第128-137页 |
| ·由版图设计不当造成的芯片ESD 失效与ESD DRC 验证 | 第128-134页 |
| ·芯片内部电路ESD失效与ESD LVS 验证 | 第134-137页 |
| ·寄生ESD 器件的提取 | 第137页 |
| ·电源引脚的布局与ESD保护 | 第137-143页 |
| ·电源线寄生电阻 | 第137-139页 |
| ·设计实例——高密度引脚、多电源芯片的电源引脚布局 | 第139-143页 |
| ·小结 | 第143-144页 |
| 第七章 总结与展望 | 第144-146页 |
| ·总结 | 第144-145页 |
| ·未来工作要点 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-156页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第156-157页 |
| 作者在攻读博士学位期间获授权的专利 | 第157-159页 |
| 致谢 | 第159页 |
