| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.0 引言 | 第9-10页 |
| 1.1 集成电路发展历史与制备工艺概况 | 第10-11页 |
| 1.1.1 集成电路技术发展历史 | 第10-11页 |
| 1.1.2 集成电路制备过程 | 第11页 |
| 1.2 多层铜互连 | 第11-13页 |
| 1.2.1 铜互连技术 | 第11-12页 |
| 1.2.2 双大马士革工艺 | 第12-13页 |
| 1.3 化学机械平坦化 | 第13-16页 |
| 1.3.1 化学机械抛光简介 | 第13页 |
| 1.3.2 CMP过程与作用机理 | 第13-14页 |
| 1.3.3 抛光液 | 第14-16页 |
| 1.4 多层铜互连中的化学机械平坦化 | 第16-18页 |
| 1.5 新型阻挡层材料钌的CMP研究进展 | 第18-19页 |
| 1.6 论文的研究目的与内容 | 第19-21页 |
| 第二章 实验方法与研究原理 | 第21-27页 |
| 2.1 实验器材 | 第21-24页 |
| 2.1.1 抛光机 | 第21页 |
| 2.1.2 原子力显微镜 | 第21-22页 |
| 2.1.3 电化学工作站 | 第22-23页 |
| 2.1.4 其它实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.2 实验方法以及原理 | 第24-27页 |
| 2.2.1 化学机械抛光 | 第24页 |
| 2.2.2 粗糙度检测 | 第24-25页 |
| 2.2.3 静态腐蚀 | 第25-26页 |
| 2.2.4 电化学实验 | 第26-27页 |
| 第三章 抛光工艺对Ru和Cu CMP的影响 | 第27-31页 |
| 3.1 抛光压力对Ru和Cu CMP的影响 | 第27-29页 |
| 3.2 转速对Ru和CuCMP的影响 | 第29-30页 |
| 3.3 流量对Ru和CuCMP的影响 | 第30-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31页 |
| 第四章 基于FA/OⅠ与H_2O_2的抛光液对Ru和CuCMP的影响 | 第31-42页 |
| 4.1 磨料浓度对Ru和Cu抛光速率的影响 | 第32-33页 |
| 4.2 H_2O_2在不同pH条件下对Ru去除速率与静态腐蚀的影响 | 第33-35页 |
| 4.3 不同pH条件下Ru的极化曲线 | 第35-36页 |
| 4.4 H_2O_2浓度对Ru和Cu抛光速率影响 | 第36-38页 |
| 4.5 基于FA/OⅠ螯合剂与H2O2的抛光液Ru和Cu的速率选择比 | 第38-40页 |
| 4.6 FA/OⅠ螯合剂对Ru和Cu的电偶腐蚀的影响 | 第40-41页 |
| 4.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 基于NaClO与FA/OⅠ螯合剂的抛光液对Ru和Cu的CMP的影响 | 第42-50页 |
| 5.1 NaClO在不同pH条件下对Ru抛光速率和静态腐蚀速率的影响 | 第43-44页 |
| 5.2 NaClO浓度对Ru和Cu抛光速率的影响 | 第44-46页 |
| 5.3 FA/OⅠ螯合剂浓度对Ru和Cu抛光速率的影响 | 第46-47页 |
| 5.4 FA/OⅠ螯合剂浓度对Ru和Cu的极化曲线 | 第47页 |
| 5.5 基于FA/OⅠ螯合剂与NaClO的抛光液Ru和Cu速率选择比 | 第47-49页 |
| 5.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 FA/OⅠ型活性剂对Ru、CuCMP的影响 | 第50-54页 |
| 6.1 FA/OⅠ型活性剂对Ru的CMP去除速率的影响 | 第50-51页 |
| 6.2 Ⅰ型活性剂对Ru、CuCMP的表面粗糙度的影响 | 第51-52页 |
| 6.3 FA/OⅠ型活性剂对抛光液稳定性的影响 | 第52-53页 |
| 6.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第七章 总结与展望 | 第54-57页 |
| 7.1 总结 | 第54-55页 |
| 7.2 展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
