| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 高温温度传感器领域 | 第10-13页 |
| 1.2.2 高温电力电子领域 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 SiC基高温传感器的特性和分析 | 第15-28页 |
| 2.1 不同器件类型SiC基温度传感器的特性 | 第15-21页 |
| 2.1.1 SiC PiN温度传感器 | 第15-16页 |
| 2.1.2 SiC SBD温度传感器 | 第16-18页 |
| 2.1.3 SiC JFET温度传感器 | 第18-20页 |
| 2.1.4 小结 | 第20-21页 |
| 2.2 SiC基温度传感器在不同连接结构下的灵敏度分析 | 第21-27页 |
| 2.2.1 串联结构 | 第21页 |
| 2.2.2 并联结构 | 第21-22页 |
| 2.2.3 桥式结构 | 第22-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 高灵敏度SiC温度传感器的理论与实验研究 | 第28-39页 |
| 3.1 SiC MOSFET基温度传感器的特性 | 第28-30页 |
| 3.2 数值仿真与结构优化 | 第30-31页 |
| 3.3 驱动电路仿真与优化 | 第31-35页 |
| 3.3.1 单管恒流驱动电路仿真 | 第32-33页 |
| 3.3.2 桥式电路仿真 | 第33-35页 |
| 3.4 实验研究 | 第35-38页 |
| 3.4.1 恒流源驱动实验 | 第35-36页 |
| 3.4.2 桥式电路驱动实验 | 第36-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 SiC功率器件的特性及应用 | 第39-59页 |
| 4.1 SiC商用器件的进展及特性 | 第39-40页 |
| 4.2 SiC功率晶体管的特性及驱动电路 | 第40-46页 |
| 4.2.1 SiC JFET | 第40-42页 |
| 4.2.2 SiC MOSFET | 第42-46页 |
| 4.3 SiC MOSFET驱动电路设计 | 第46-48页 |
| 4.3.1 电源模块电路 | 第47页 |
| 4.3.2 光耦隔离电路 | 第47-48页 |
| 4.3.3 功率放大电路 | 第48页 |
| 4.4 SiC MOSFET驱动电路仿真 | 第48-51页 |
| 4.5 SiC基LED路灯电源的设计与实验研究 | 第51-58页 |
| 4.5.1 缓冲电路 | 第53页 |
| 4.5.2 反激变换器的设计 | 第53-55页 |
| 4.5.3 反馈环路设计 | 第55页 |
| 4.5.4 控制及驱动电路 | 第55-56页 |
| 4.5.5 仿真与实验 | 第56-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论和展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录 | 第64-67页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |