| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 CMOS工艺可靠性评价技术研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 CMOS工艺中的可靠性问题 | 第15-24页 |
| 2.1 热载流子注入 | 第15-18页 |
| 2.1.1 热载流子注入机理 | 第15-17页 |
| 2.1.2 热载流子注入的影响 | 第17-18页 |
| 2.2 负偏置温度不稳定性 | 第18-20页 |
| 2.2.1 负偏置温度不稳定性机理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 负偏置温度不稳定性的影响 | 第19-20页 |
| 2.3 经时击穿 | 第20-22页 |
| 2.3.1 经时击穿机理 | 第21页 |
| 2.3.2 经时击穿效应的影响 | 第21-22页 |
| 2.4 电迁移 | 第22-23页 |
| 2.4.1 电迁移机理 | 第22-23页 |
| 2.4.2 电迁移的影响 | 第23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 CMOS工艺可靠性测试结构的自动化实现 | 第24-36页 |
| 3.1 CMOS工艺可靠性测试结构概述 | 第24-31页 |
| 3.1.1 MOSFET类测试结构的设计 | 第25-26页 |
| 3.1.2 MOS电容类测试结构的设计 | 第26-27页 |
| 3.1.3 金属线类测试结构的设计 | 第27-31页 |
| 3.1.3.1 金属线端口连接方式 | 第27-28页 |
| 3.1.3.2 线宽 | 第28-29页 |
| 3.1.3.3 线长 | 第29页 |
| 3.1.3.4 测试线与连接线的组合 | 第29-30页 |
| 3.1.3.5 突出检测 | 第30-31页 |
| 3.1.3.6 金属线测试结构设计方案 | 第31页 |
| 3.2 CMOS工艺可靠性测试结构版图的自动化实现 | 第31-35页 |
| 3.2.1 版图的自动化生成 | 第32-34页 |
| 3.2.2 CMOS工艺可靠性测试结构图形库设计要求 | 第34-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 CMOS工艺可靠性测试结构图形库的设计 | 第36-66页 |
| 4.1 参数化单元设计与应用 | 第36-37页 |
| 4.2 基于Python语言的参数化单元库设计方法 | 第37-38页 |
| 4.2.1 面向对象编程与Python语言 | 第37-38页 |
| 4.2.2 OpenAccess数据库 | 第38页 |
| 4.3 基于Python语言开发参数化单元库 | 第38-40页 |
| 4.4 参数化单元设计流程 | 第40-44页 |
| 4.4.1 设计规则输入 | 第41-42页 |
| 4.4.1.1 Santana工艺文件 | 第41页 |
| 4.4.1.2 Santana图层显示文件 | 第41-42页 |
| 4.4.2 参数定义 | 第42-43页 |
| 4.4.3 参数处理 | 第43页 |
| 4.4.4 版图生成 | 第43-44页 |
| 4.5 MOSFET基本单元的设计 | 第44-49页 |
| 4.5.1 MOSFET基本单元参数设置 | 第45-46页 |
| 4.5.2 版图生成 | 第46-49页 |
| 4.6 基于MOSFET基本单元构建MOSFET器件参数化单元 | 第49-57页 |
| 4.6.1 MOSFET参数设置 | 第50-51页 |
| 4.6.2 版图生成 | 第51-57页 |
| 4.6.2.1 MOSFET基本单元的叠放 | 第51-54页 |
| 4.6.2.2 MOSFET的连线 | 第54-56页 |
| 4.6.2.3 创建接触环 | 第56-57页 |
| 4.7 基于MOSFET单元创建MOS电容单元 | 第57页 |
| 4.8 电迁移测试结构参数化单元的设计 | 第57-59页 |
| 4.8.1 电迁移测试结构的参数设置 | 第58页 |
| 4.8.2 电迁移测试结构版图的生成 | 第58-59页 |
| 4.9 测试结构与焊盘的连接 | 第59-61页 |
| 4.10 测试结构模块的生成 | 第61-63页 |
| 4.11 测试结构图形库的使用 | 第63-65页 |
| 4.12 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 CMOS工艺可靠性自动化测试系统设计 | 第66-79页 |
| 5.1 CMOS工艺可靠性测试系统设计 | 第66-69页 |
| 5.1.1 测试系统构成 | 第66-69页 |
| 5.1.1.1 半导体参数分析仪 | 第67页 |
| 5.1.1.2 探针卡 | 第67-68页 |
| 5.1.1.3 开关矩阵 | 第68-69页 |
| 5.1.1.4 恒温箱与热板 | 第69页 |
| 5.2 CMOS工艺可靠性测试流程 | 第69-73页 |
| 5.2.1 热载流子注入测试流程 | 第69-70页 |
| 5.2.2 负偏置温度不稳定性测试流程 | 第70-71页 |
| 5.2.3 经时击穿测试流程 | 第71-72页 |
| 5.2.4 电迁移测试流程 | 第72-73页 |
| 5.3 半导体参数分析仪的自动化控制 | 第73-78页 |
| 5.3.1 半导体参数分析仪的编程功能 | 第73-74页 |
| 5.3.2 测试仪器自动化控制 | 第74-78页 |
| 5.3.2.1 iC的自动控制原理 | 第74-75页 |
| 5.3.2.2 使用iC完成自动化测试 | 第75-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 全文总结 | 第79页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第88-89页 |
