| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| ·引言 | 第11-14页 |
| ·新型非易失性存储器 | 第14-22页 |
| ·研究意义及内容 | 第22-23页 |
| ·研究意义 | 第22-23页 |
| ·研究内容 | 第23页 |
| 本章参考文献 | 第23-28页 |
| 第二章 阻变存储器概述 | 第28-73页 |
| ·RRAM的材料体系 | 第29-37页 |
| ·固态电解液材料 | 第29-32页 |
| ·复杂氧化物 | 第32-35页 |
| ·有机材料 | 第35-36页 |
| ·二元过渡金属氧化物 | 第36-37页 |
| ·RRAM器件的阻变机理 | 第37-48页 |
| ·肖特基发射模型 | 第37-38页 |
| ·缺陷能级的电荷俘获与释放 | 第38-40页 |
| ·导电细丝模型 | 第40-48页 |
| ·导电机制小结 | 第48页 |
| ·阻变存储器的集成 | 第48-57页 |
| ·1D1R结构 | 第50-51页 |
| ·1T1R结构 | 第51-52页 |
| ·1S1R结构 | 第52-57页 |
| ·阻变存储器的基本参数 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59页 |
| 本章参考文献 | 第59-73页 |
| 第三章 基于掺杂HfO_2薄膜的RRAM器件 | 第73-95页 |
| ·离子注入掺杂的HfO_2 RRAM器件 | 第73-84页 |
| ·离子注入器件的制备工艺 | 第73-75页 |
| ·离子注入器件的电学特性 | 第75-80页 |
| ·导电机制分析 | 第80-84页 |
| ·NH_3处理方法进行N掺杂的HfO_2 RRAM器件 | 第84-91页 |
| ·N掺杂HfO_2 RRAM器件制备工艺 | 第84-85页 |
| ·N掺杂HfO_2器件的电阻转变特性 | 第85-88页 |
| ·XPS能谱分析 | 第88-89页 |
| ·N掺杂改善器件特性分析 | 第89-90页 |
| ·N掺杂HfO_2器件的耐受力特性和保持特性 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91页 |
| 本章参考文献 | 第91-95页 |
| 第四章 低电流恒流应力预处理对RRAM器件性能改善的研究 | 第95-115页 |
| ·Cu/ZrO_2/Pt器件的制备工艺 | 第95-96页 |
| ·Cu/ZrO_2/Pt器件特性分析 | 第96-103页 |
| ·低电流恒流应力CCS预处理改进器件性能 | 第103-112页 |
| ·本章小结 | 第112页 |
| 本章参考文献 | 第112-115页 |
| 第五章 CBRAM器件中易氧化电极材料的研究 | 第115-130页 |
| ·Ni电极CBRAM器件制备与电学性能 | 第115-118页 |
| ·基于SiO_2衬底的Ni/ZrO_2/Pt器件制备工艺 | 第116页 |
| ·基于W针衬底的Ni/ZrO_2/Pt器件制备工艺 | 第116-117页 |
| ·基于SiO_2衬底器件的电学特性 | 第117-118页 |
| ·Ni/ZrO_2/Pt器件的TEM分析 | 第118-122页 |
| ·导电细丝形貌 | 第118-119页 |
| ·导电细丝成份分析 | 第119-120页 |
| ·导电机制分析 | 第120-122页 |
| ·Ni电极与Cu电极RRAM器件比较 | 第122-127页 |
| ·Forming电压比较 | 第123-125页 |
| ·变温测试 | 第125-127页 |
| ·本章小结 | 第127页 |
| 本章参考文献 | 第127-130页 |
| 第六章 总结与展望 | 第130-133页 |
| ·论文工作总结 | 第130-131页 |
| ·未来工作展望 | 第131-133页 |
| 在学期间研究成果 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
