| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外发展动态 | 第10-12页 |
| ·本文工作 | 第12-14页 |
| 第二章 SOI材料及SOI高压器件 | 第14-31页 |
| ·SOI概述 | 第14-16页 |
| ·SOI材料制备 | 第16-18页 |
| ·SOI材料的相关电学特性 | 第18-19页 |
| ·SOI高压器件 | 第19-27页 |
| ·PN结击穿 | 第20-22页 |
| ·SOI LDMOS击穿电压 | 第22-23页 |
| ·SOI RESURF原理 | 第23-25页 |
| ·线性变掺杂技术 | 第25-27页 |
| ·SOI功率器件介绍 | 第27-30页 |
| ·本章总结 | 第30-31页 |
| 第三章 利用TSuprem-4对SOI高压器件进行工艺仿真 | 第31-60页 |
| ·TSuprem-4概述 | 第31-34页 |
| ·集成电路中工艺介绍 | 第34-38页 |
| ·工艺仿真 | 第38-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 利用Medici对SOI高压器件进行器件仿真 | 第60-71页 |
| ·Medici概述 | 第60-62页 |
| ·半导体器件基本方程 | 第62-64页 |
| ·泊松方程 | 第62-63页 |
| ·输运方程 | 第63页 |
| ·连续性方程 | 第63-64页 |
| ·Medici器件仿真 | 第64-70页 |
| ·关态特性仿真 | 第64-67页 |
| ·开态特性仿真 | 第67-68页 |
| ·阈值电压仿真 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |