X波段GaAs单片功率放大器研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| ·MMIC技术历史 | 第8-9页 |
| ·MMIC技术特点 | 第9-10页 |
| ·单片功率放大器发展历史及现状 | 第10-13页 |
| ·本文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 材料特性及MMIC常用元件 | 第14-32页 |
| ·砷化镓材料简介 | 第14-19页 |
| ·MMIC常用材料特性对比 | 第19-20页 |
| ·金属--半导体结 | 第20-24页 |
| ·二维电子气形成机理及PHEMT结构简介 | 第24-27页 |
| ·MMIC中的无源元件简介 | 第27-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 器件模型与MMIC工艺简介 | 第32-47页 |
| ·器件建模技术概述 | 第32-33页 |
| ·HEMT小信号模型 | 第33-35页 |
| ·HEMT大信号模型 | 第35-39页 |
| ·模型参数提取和验证 | 第39-42页 |
| ·小信号模型参数提取技术 | 第39-41页 |
| ·大信号模型参数提取技术 | 第41-42页 |
| ·无源元件模型 | 第42-44页 |
| ·MMIC工艺简介 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 微波晶体管放大器 | 第47-62页 |
| ·微波晶体管放大器的二端口功率增益 | 第47-50页 |
| ·微波晶体管放大器的稳定性 | 第50-51页 |
| ·微波晶体管放大器的动态范围和交调失真 | 第51-54页 |
| ·微波晶体管放大器的效率和工作状态 | 第54-56页 |
| ·负载牵引技术简介 | 第56-59页 |
| ·匹配网络和偏置网络 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 X波段单片功率放大器设计 | 第62-78页 |
| ·单片功放设计指标及整体设计思路 | 第62-63页 |
| ·晶体管负载牵引仿真及电路拓扑的选择 | 第63-69页 |
| ·原理图仿真及优化 | 第69-70页 |
| ·版图仿真及优化 | 第70-72页 |
| ·测试结果及分析 | 第72-77页 |
| ·小结 | 第77-78页 |
| 第六章 总结 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表文章 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-82页 |
