| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 GaN材料简介 | 第10-11页 |
| 1.2 AlGaN/GaNHEMT介绍 | 第11-12页 |
| 1.3 AlGaN/GaNHEMT研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 HEMT器件的陷阱和缺陷的表征分析手段 | 第13-18页 |
| 1.4.1 产生陷阱和缺陷的原因 | 第13-14页 |
| 1.4.2 表征分析手段 | 第14-18页 |
| 1.5 衬底减薄的意义 | 第18-19页 |
| 1.6 本论文的研究内容和意义 | 第19-22页 |
| 第2章 AlGaN/GaNHEMT的陷阱表征分析 | 第22-30页 |
| 2.1 基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaNHEMT实验样品介绍 | 第22-23页 |
| 2.2 样品的输出特性 | 第23-24页 |
| 2.3 利用瞬态电流测试对器件内部陷阱进行表征 | 第24-26页 |
| 2.4 利用脉冲I-V测试对器件内部陷阱进行表征 | 第26-27页 |
| 2.5 利用C-V测试对器件内部陷阱进行表征 | 第27-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 衬底减薄对AlGaN/GaNHEMT残余应力的影响 | 第30-38页 |
| 3.1 残余应力介绍 | 第30-31页 |
| 3.2 残余应力分析手段 | 第31-34页 |
| 3.2.1 拉曼(Raman)测量原理 | 第31-32页 |
| 3.2.2 X射线衍射(XRD)测量原理 | 第32-34页 |
| 3.3 衬底减薄前后样品的残余应力测量结果 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 衬底减薄对AlGaN/GaNHEMT电学特性的影响 | 第38-50页 |
| 4.1 衬底减薄对样品电学性能的影响 | 第38-44页 |
| 4.1.1 衬底减薄对样品输出特性的影响 | 第38-40页 |
| 4.1.2 衬底减薄对样品瞬态电流特性的影响 | 第40-41页 |
| 4.1.3 衬底减薄对样品脉冲I-V特性的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.4 衬底减薄对样品C-V特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 衬底减薄前后样品的表面形貌分析 | 第44-45页 |
| 4.3 外部应力对样品电学性能的影响 | 第45-49页 |
| 4.3.1 外部应力变化对样品输出特性的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.2 外部应力变化对样品瞬态特性的影响 | 第49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
