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衬底减薄对AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-22页
    1.1 GaN材料简介第10-11页
    1.2 AlGaN/GaNHEMT介绍第11-12页
    1.3 AlGaN/GaNHEMT研究现状第12-13页
    1.4 HEMT器件的陷阱和缺陷的表征分析手段第13-18页
        1.4.1 产生陷阱和缺陷的原因第13-14页
        1.4.2 表征分析手段第14-18页
    1.5 衬底减薄的意义第18-19页
    1.6 本论文的研究内容和意义第19-22页
第2章 AlGaN/GaNHEMT的陷阱表征分析第22-30页
    2.1 基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaNHEMT实验样品介绍第22-23页
    2.2 样品的输出特性第23-24页
    2.3 利用瞬态电流测试对器件内部陷阱进行表征第24-26页
    2.4 利用脉冲I-V测试对器件内部陷阱进行表征第26-27页
    2.5 利用C-V测试对器件内部陷阱进行表征第27-28页
    2.6 本章小结第28-30页
第3章 衬底减薄对AlGaN/GaNHEMT残余应力的影响第30-38页
    3.1 残余应力介绍第30-31页
    3.2 残余应力分析手段第31-34页
        3.2.1 拉曼(Raman)测量原理第31-32页
        3.2.2 X射线衍射(XRD)测量原理第32-34页
    3.3 衬底减薄前后样品的残余应力测量结果第34-36页
    3.4 本章小结第36-38页
第4章 衬底减薄对AlGaN/GaNHEMT电学特性的影响第38-50页
    4.1 衬底减薄对样品电学性能的影响第38-44页
        4.1.1 衬底减薄对样品输出特性的影响第38-40页
        4.1.2 衬底减薄对样品瞬态电流特性的影响第40-41页
        4.1.3 衬底减薄对样品脉冲I-V特性的影响第41-43页
        4.1.4 衬底减薄对样品C-V特性的影响第43-44页
    4.2 衬底减薄前后样品的表面形貌分析第44-45页
    4.3 外部应力对样品电学性能的影响第45-49页
        4.3.1 外部应力变化对样品输出特性的影响第47-49页
        4.3.2 外部应力变化对样品瞬态特性的影响第49页
    4.4 本章小结第49-50页
结论第50-52页
参考文献第52-58页
攻读学位期间发表的学术论文第58-60页
致谢第60页

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