| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 变量注释表 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 二维半导体的发展 | 第11-12页 |
| 1.2 课题的提出及选题意义 | 第12-13页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第13-15页 |
| 2 理论基础 | 第15-25页 |
| 2.1 第一性原理 | 第15-18页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第18-22页 |
| 2.3 交换关联能泛函 | 第22-25页 |
| 3 应力调控单层III-N带隙的杂化密度泛函理论研究 | 第25-37页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 计算方法 | 第26页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第26-35页 |
| 3.4 小结 | 第35-37页 |
| 4 双轴应力对单层氧化锌空位性质的影响 | 第37-51页 |
| 4.1 引言 | 第37-38页 |
| 4.2 计算方法 | 第38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-48页 |
| 4.4 小结 | 第48-51页 |
| 5 总结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 作者简历 | 第57-59页 |
| 学位论文数据集 | 第59页 |