| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 CMOS工艺中栅氧工艺的应用 | 第8-9页 |
| 1.2 典型的栅氧工艺 | 第9-10页 |
| 1.3 栅氧的失效分析 | 第10-12页 |
| 1.4 本文的研究工作 | 第12-14页 |
| 2 栅氧清洗工艺在集成电路中的应用 | 第14-27页 |
| 2.1 半导体工艺中污染杂质的分类 | 第15-17页 |
| 2.1.1 颗粒缺陷 | 第15页 |
| 2.1.2 有机物 | 第15-16页 |
| 2.1.3 金属杂质 | 第16页 |
| 2.1.4 自然氧化物 | 第16-17页 |
| 2.2 栅氧清洗工艺 | 第17-27页 |
| 2.2.1 清洗技术的发展 | 第17-19页 |
| 2.2.2 CMOS制程中栅氧清洗工艺 | 第19-27页 |
| 3 O_3工艺条件研究 | 第27-38页 |
| 3.1 O_3的基本特性 | 第27-29页 |
| 3.2 基于O_3的实验平台的搭建 | 第29-33页 |
| 3.3 O_3的工艺参数的设定 | 第33-38页 |
| 3.3.1 O_3-DI注入时间 | 第33-34页 |
| 3.3.2 O_3注入浓度和处理时间 | 第34-38页 |
| 4 O_3在栅氧清洗工艺中的应用研究 | 第38-52页 |
| 4.1 O_3对金属杂质去除能力 | 第38-41页 |
| 4.2 O_3对有机颗粒的去除能力 | 第41-42页 |
| 4.3 O_3对硅的氧化性的研究 | 第42-52页 |
| 4.3.1 影响O_3氧化的二氧化硅厚度的因素 | 第43-45页 |
| 4.3.2 PH值对O_3氧化性的影响 | 第45-48页 |
| 4.3.3 SC1对O_3氧化二氧化硅厚度的影响及程序优化 | 第48-52页 |
| 5 O_3栅氧清洗工艺的表面预处理效果 | 第52-61页 |
| 5.1 引入O_3的新栅氧清洗工艺 | 第52-53页 |
| 5.2 新栅氧清洗工艺对缺陷性能的改善 | 第53-55页 |
| 5.3 新栅氧清洗工艺氧化的二氧化硅厚度稳定性 | 第55-56页 |
| 5.4 新栅氧清洗工艺对栅氧质量的改进 | 第56-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |