| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第10-14页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第14-18页 |
| 1.3 论文主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第19-31页 |
| 2.1 GaN材料的极化效应和二维电子气 | 第19-25页 |
| 2.1.1 GaN材料的极化效应 | 第19-22页 |
| 2.1.2 二维电子气 | 第22-25页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT基本器件结构与工作原理 | 第25-27页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT器件的性能参数 | 第27-29页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT击穿机理与泄漏电流 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 带浮空场板的AlGaN/GaN HEMT的仿真研究 | 第31-40页 |
| 3.1 场板的简介 | 第31-33页 |
| 3.1.1 普通场板结构 | 第31-33页 |
| 3.1.2 浮空场板结构和作用机理 | 第33页 |
| 3.2 浮空的AlGa N/GaN HEMT结构仿真 | 第33-39页 |
| 3.2.1 漏极电压变化时沟道内电场的分布情况 | 第34-36页 |
| 3.2.2 浮空场板的长度变化对器件的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 浮空场板对器件的高频的特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 带P型埋层的垂直AlGaN/GaN HEMT器件的仿真研究 | 第40-58页 |
| 4.1 垂直AlGaN/GaN HEMT器件 | 第41-45页 |
| 4.1.1 垂直AlGa N/GaN HEMT器件的结构与工作原理 | 第41-42页 |
| 4.1.2 带P型埋层的垂直AlGaN/GaN HEMT器件的结构与工作原理 | 第42-45页 |
| 4.2 带P型埋层的垂直AlGaN/GaN HEMT器件的仿真研究 | 第45-57页 |
| 4.2.1 NPBL对垂直AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.2 LPBL对垂直AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.3 TPBL对垂直AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.4 LISO对垂直AlGaN/GaN HEMT器件的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.5 优化后P型埋层对垂直AlGaN/GaN HEMT器件的影响 | 第54-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
