| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第1章 综述 | 第9-25页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·LED的发光机理及光电性能简介 | 第10-14页 |
| ·LED的发光机理 | 第10-11页 |
| ·LED的光学性能 | 第11-13页 |
| ·发光强度 | 第11页 |
| ·发光效率 | 第11-13页 |
| ·发光波长 | 第13页 |
| ·LED的电学性能 | 第13-14页 |
| ·LED可靠性及失效特性的研究 | 第14-20页 |
| ·失效模式 | 第14-15页 |
| ·开路失效 | 第15页 |
| ·参数退化 | 第15页 |
| ·失效因素 | 第15-18页 |
| ·封装互联材料 | 第15-17页 |
| ·外延质量 | 第17页 |
| ·结构设计 | 第17页 |
| ·加工工艺 | 第17-18页 |
| ·加载电流 | 第18页 |
| ·热冲击 | 第18页 |
| ·失效机理 | 第18-20页 |
| ·封装材料退化 | 第18-19页 |
| ·缺陷的存在 | 第19页 |
| ·金属电迁移 | 第19-20页 |
| ·P区欧姆接触退化 | 第20页 |
| ·失效分析方法 | 第20页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第2章 环境温度对Si衬底InGaN/GaN多量子阱蓝光LED光电性能的影响 | 第25-35页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·实验 | 第25-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-33页 |
| ·不同环境温度下的EL特性分析 | 第26-32页 |
| ·波长变化 | 第26-30页 |
| ·半峰宽变化 | 第30-31页 |
| ·发光强度变化 | 第31页 |
| ·EQE变化 | 第31-32页 |
| ·不同环境温度下的Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第3章 热冲击及持续高温对Si衬底InGaN/GaN多量子阱蓝光LED性能的影响 | 第35-50页 |
| ·不同热冲击温度的影响 | 第35-43页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·实验 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-42页 |
| ·不同温度的热冲击对芯片发光波长的影响 | 第36-38页 |
| ·不同温度的热冲击对芯片发光强度的影响 | 第38-39页 |
| ·不同温度的热冲击对芯片发光效率的影响 | 第39-40页 |
| ·不同温度的热冲击对芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响 | 第40-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| ·热冲击与持续高温的影响 | 第43-47页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-46页 |
| ·持续高温与热冲击对芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响 | 第44页 |
| ·持续高温与热冲击对芯片发光波长的影响 | 第44-45页 |
| ·持续高温与热冲击对芯片发光强度的影响 | 第45-46页 |
| ·持续高温与热冲击对芯片发光效率的影响 | 第46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第4章 热冲击对有、无Ag反射镜的芯片性能的影响 | 第50-57页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-55页 |
| ·热冲击前后发光强度对比分析 | 第51-52页 |
| ·热冲击前后芯片发光效率的研究 | 第52-54页 |
| ·热冲击前后的正向Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第5章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发论文 | 第60页 |