LVDS接口I/O抗辐射加固技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| ·LVDS概念 | 第12-13页 |
| ·LVDS匹配方式 | 第13-14页 |
| ·点到点 | 第13页 |
| ·多支路 | 第13-14页 |
| ·多点 | 第14页 |
| ·LVDS特点 | 第14-15页 |
| ·本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 LVDS总体设计 | 第16-20页 |
| ·LVDS总体结构 | 第16页 |
| ·LVDS接口 IO包含模块及排布方式 | 第16-17页 |
| ·设计指标 | 第17-20页 |
| 第三章 LVDS驱动器与LVDS接收器 | 第20-36页 |
| ·LVDS驱动器 | 第20-28页 |
| ·驱动器总体结构 | 第20-21页 |
| ·升压单元 | 第21-23页 |
| ·输入信号调整单元 | 第23-25页 |
| ·驱动器主体电路 | 第25-28页 |
| ·LVDS接收器 | 第28-36页 |
| ·LVDS接收器总体结构 | 第28-29页 |
| ·迟滞比较器 | 第29-33页 |
| ·电平转换电路 | 第33-34页 |
| ·失效保护电路 | 第34-36页 |
| 第四章 带隙基准源与辅助电路 | 第36-52页 |
| ·带隙基准源 | 第36-40页 |
| ·带隙基准电压源 | 第36-37页 |
| ·可同时提供基准电压和基准电流的带隙基准源 | 第37-38页 |
| ·编码电阻 | 第38-40页 |
| ·LVDS接口I/O设计中一些辅助电路结构设计 | 第40-52页 |
| ·使能结构 | 第41页 |
| ·开关电路 | 第41-44页 |
| ·ESD保护电路 | 第44-52页 |
| 第五章 抗辐射加固 | 第52-60页 |
| ·抗辐射加固概述 | 第52页 |
| ·空间环境 | 第52-53页 |
| ·辐射效应 | 第53-54页 |
| ·总剂量效应 | 第53页 |
| ·单粒子效应 | 第53-54页 |
| ·MOS器件的辐射效应及其加固方法 | 第54-58页 |
| ·CMOS器件的闩锁效应 | 第55-56页 |
| ·CMOS器件抗单粒子与抗瞬时辐射基本原则和方法 | 第56-58页 |
| ·抗辐射加固CMOS电路设计要点 | 第58-60页 |
| 第六章 抗辐射加固版图设计及后仿真 | 第60-74页 |
| ·版图设计类型 | 第60-61页 |
| ·半定制设计 | 第60页 |
| ·全定制设计 | 第60-61页 |
| ·抗辐射加固版图设计应注意的问题 | 第61-65页 |
| ·整体版图实例 | 第65-68页 |
| ·后仿结果 | 第68-74页 |
| ·后仿参数 | 第68-71页 |
| ·后仿波形实例 | 第71-74页 |
| 第七章 总结及展望 | 第74-76页 |
| ·回顾与总结 | 第74-75页 |
| ·高性能接口电路展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
