| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·集成电路中 ESD 现象概述 | 第7-11页 |
| ·静电放电模型 | 第7-10页 |
| ·静电放电的测试 | 第10-11页 |
| ·ESD 保护器件建模的意义及国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·课题研究意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·论文的主要研究工作 | 第13-15页 |
| 第二章 常用 ESD 保护器件 | 第15-29页 |
| ·电阻 | 第15-17页 |
| ·二极管 | 第17-19页 |
| ·双极晶体管 | 第19-20页 |
| ·MOSFET | 第20-24页 |
| ·栅接地 NMOS | 第21-22页 |
| ·栅耦合 NMOS | 第22-24页 |
| ·其他结构的 NMOS | 第24页 |
| ·SCR | 第24-27页 |
| ·基本 SCR 结构 | 第24-26页 |
| ·MLSCR 结构 | 第26页 |
| ·LVTSCR 结构 | 第26-27页 |
| ·STSCR 结构 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 ESD 保护器件的 TCAD 仿真 | 第29-43页 |
| ·仿真工具 ISE TCAD 介绍 | 第29-30页 |
| ·仿真中算法设置和数值模型 | 第30-35页 |
| ·算法的设置 | 第30-31页 |
| ·器件数值模型 | 第31-35页 |
| ·GGNMOS TCAD 仿真与分析 | 第35-42页 |
| ·器件结构 | 第35-36页 |
| ·仿真分析 | 第36-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 ESD 保护器件的电路级仿真 | 第43-63页 |
| ·Verilog-A HDL 语言概述 | 第43-44页 |
| ·NMOS 保护器件的物理模型 | 第44-50页 |
| ·理想 MOSFET 模型 | 第45-46页 |
| ·碰撞电离电流模型 | 第46-47页 |
| ·寄生晶体管模型 | 第47-48页 |
| ·衬底电阻模型 | 第48-50页 |
| ·仿真参数提取 | 第50-54页 |
| ·理想 MOSFET 模型 | 第50-52页 |
| ·雪崩倍增因子 M | 第52-53页 |
| ·寄生晶体管模型参数 | 第53-54页 |
| ·衬底电阻参数 | 第54页 |
| ·NMOS 管电路级模型的 Verilog-A 实现与仿真分析 | 第54-62页 |
| ·模块的 Verilog-A 实现 | 第55-57页 |
| ·仿真分析 | 第57-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| ·总结 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |