半导体器件的二维仿真
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·半导体器件模拟技术和概念与发展简况 | 第10页 |
| ·半导体器件仿真的主要研究内容和研究方法 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作和创新 | 第11-12页 |
| ·主要工作 | 第11-12页 |
| ·创新 | 第12页 |
| ·本文结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 半导体物理理论 | 第13-42页 |
| ·半导体材料 | 第13页 |
| ·Boltzmann 方程 | 第13-21页 |
| ·从 Boltzmann 方程出发 | 第13-21页 |
| ·漂移-扩散方程的推导 | 第21-25页 |
| ·双极模型 | 第25-31页 |
| ·热平衡态和边界条件 | 第31-33页 |
| ·高场模型 | 第33-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 数值分析 | 第42-65页 |
| ·网格划分 | 第42-45页 |
| ·矩形网格 | 第43-44页 |
| ·三角形网格 | 第44-45页 |
| ·有限体积法 | 第45-50页 |
| ·有限差分法 | 第45-47页 |
| ·有限体积法 | 第47-50页 |
| ·漂移-扩散方程组的离散 | 第50-59页 |
| ·漂移-扩散方程 | 第50-51页 |
| ·方程的归一化 | 第51-52页 |
| ·Poisson 方程的离散 | 第52-57页 |
| ·电流连续性方程的离散 | 第57-59页 |
| ·边界条件 | 第59-62页 |
| ·物理边界条件 | 第60-61页 |
| ·人为边界条件 | 第61-62页 |
| ·离散方程组的求解 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 数值模拟结果分析 | 第65-80页 |
| ·MOS 器件概述 | 第65页 |
| ·半导体器件数值模拟的流程 | 第65-67页 |
| ·N 沟道增强型 MOSFET 模型的建立 | 第67-69页 |
| ·模拟结果分析 | 第69-79页 |
| ·平衡态初始掺杂情况 | 第69-70页 |
| ·平衡态载流子分布 | 第70-72页 |
| ·平衡态电场分布 | 第72-75页 |
| ·平衡态电势分布 | 第75-76页 |
| ·NMOS 的漏特性 | 第76-79页 |
| ·NMOS 的开启电压 | 第79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 结束语 | 第80-81页 |
| ·本文的主要贡献 | 第80页 |
| ·不足和改进方向 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第84-85页 |
