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基于CMOS的耐辐射图像采集系统

致谢第1-5页
摘要第5-6页
ABSTRACT第6-10页
1 绪论第10-14页
   ·课题研究背景及意义第10-11页
   ·CMOS 图像采集器件第11-13页
   ·耐辐射 CMOS 图像采集器件发展过程第13页
   ·论文内容结构第13-14页
2 辐射理论分析及抗辐射设计第14-24页
   ·辐射对电子器件的影响第14-17页
     ·移位效应第14-15页
     ·电离辐射总剂量效应—TID第15-17页
   ·耐辐射 CMOS 器件第17-18页
     ·TID 对 CMOS 器件的影响第17页
     ·CMOS 器件的耐辐射技术第17-18页
   ·系统的抗辐射加固第18-22页
     ·器件选择第18-20页
     ·电路的抗辐射加固第20-21页
     ·软件的抗辐射加固第21页
     ·辐射的屏蔽第21-22页
   ·本章小结第22-24页
3 系统方案设计第24-31页
   ·设计需求及系统性能指标第24页
   ·系统总体结构设计第24-25页
   ·辐射区系统构架第25-27页
     ·非辐射区系统结构设计第25-26页
     ·辐射区集成器件的选择第26-27页
     ·部分电路的系统辐射加固第27页
   ·非辐射区系统构架第27-30页
     ·非辐射区系统结构设计第27-28页
     ·非辐射区集成器件的选择第28-30页
   ·本章小结第30-31页
4 辐射区系统设计第31-42页
   ·STAR250 内部模块及工作方式第31-33页
     ·加窗处理及其功能实现第32页
     ·双采样循环输出第32-33页
   ·辐射区电路设计第33-36页
     ·CMOS 图像传感器电路设计第33-35页
     ·阻抗匹配电路设计第35-36页
   ·辐射区 FPGA 控制程序第36-41页
     ·上电初始化信号生成模块—START第37-38页
     ·分时模块—TIME第38-39页
     ·同步信号生成模块—SYNC第39页
     ·CMOS 帧初始化模块—FRAME第39-40页
     ·COMS 行初始化模块—ROW第40页
     ·像素采集控制模块—COL第40-41页
   ·本章小结第41-42页
5 非辐射区系统设计第42-67页
   ·非辐射区电路设计第42-50页
     ·AD 转换电路设计第43-45页
     ·RAM 电路设计第45-46页
     ·编码电路设计第46-47页
     ·USB 电路设计第47-49页
     ·FPGA 电路设计第49-50页
     ·电源电路设计第50页
   ·FPGA 控制程序第50-62页
     ·数据采样时钟生成模块—PLL第51-52页
     ·图像数据提取模块—RECEIVER第52-55页
     ·USB 数据传输模块—USB第55-59页
     ·存储编码显示控制模块—RAM_BT856第59-62页
   ·CY7C68013 程序设计第62-66页
   ·本章小结第66-67页
6 结论第67-73页
   ·系统功能测试与分析第68页
   ·耐辐射性测试与分析第68-71页
   ·系统信噪比测量第71页
   ·总结第71-73页
参考文献第73-75页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果第75页

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