| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| ·集成电路发展概况 | 第6-7页 |
| ·半导体芯片设计技术的发展 | 第7-9页 |
| ·半导体芯片制造技术的发展 | 第7-8页 |
| ·集成电路设计技术 | 第8-9页 |
| ·集成电路的可制造性设计问题 | 第9-12页 |
| ·光刻技术 | 第9页 |
| ·电镀铜 #h | 第9-11页 |
| ·化学机械研磨 | 第11-12页 |
| 第二章 CMP工艺介绍及现存问题 | 第12-25页 |
| ·CMP简介 | 第12页 |
| ·CMP机台设备介绍 | 第12-15页 |
| ·CMP化学机械抛光主要机理 | 第15-17页 |
| ·CMP工艺目前所存在的问题 | 第17-22页 |
| ·不平坦性的产生 | 第17-19页 |
| ·铜CMP工艺的步骤 | 第19-21页 |
| ·Dishing和Erosion对互连线电阻影响 | 第21-22页 |
| ·Dishing和Erosion对互连线电容的影响 | 第22页 |
| ·CMP技术在多层互连中改进 | 第22-24页 |
| ·CMP模型和模拟软件 | 第24-25页 |
| ·CMP模拟软件进展 | 第24页 |
| ·CCP CMP软件简介 | 第24-25页 |
| 第三章 基于图形的平坦化设计 | 第25-45页 |
| ·金属图形对表面形状的影响 | 第25页 |
| ·本章主要研究实验内容 | 第25-26页 |
| ·影响表面形貌平整度的因素及叠层效应 | 第26-30页 |
| ·影响表面形貌平整度的因素 | 第26-28页 |
| ·叠层效应 | 第28-30页 |
| ·65nm工艺下,金属密度、线宽、线间距对CMP抛光后表面形貌的实验分析 | 第30-35页 |
| ·相同线宽与密度影响 | 第30-33页 |
| ·交错线宽和密度的影响 | 第33-35页 |
| ·冗余填充对表面平坦性的优化 | 第35-39页 |
| ·金属填充 | 第35-37页 |
| ·冗余金属改善平坦性 | 第35-36页 |
| ·有效影响区域 | 第36-37页 |
| ·特殊图形冗余金属对集成电路平整度的优化 | 第37页 |
| ·电介质填充 | 第37-39页 |
| ·电介质冗余填充原理 | 第38-39页 |
| ·针对65nm工艺,CMP Hotspot查找及平坦性的优化的实例分析 | 第39-44页 |
| ·平坦性优化设计总结 | 第44-45页 |
| 第四章 冗余金属填充对电特性的影响 | 第45-60页 |
| ·浮空填充和接地填充 | 第45-48页 |
| ·冗余金属改善电压降 | 第48-50页 |
| ·普通图形冗余金属的电特性研究 | 第50-56页 |
| ·互连线和金属冗余的距离 | 第50-51页 |
| ·普通图形冗余金属宽长比 | 第51页 |
| ·普通图形冗余金属数目 | 第51-52页 |
| ·互连线宽度 | 第52页 |
| ·冗余金属填充方式 | 第52-53页 |
| ·方块状和长方形冗余金属填充方式 | 第53-54页 |
| ·冗余金属填充中行数和列数 | 第54-55页 |
| ·冗余金属填充中摆放方式 | 第55-56页 |
| ·特殊图形冗余金属的耦合电容特性 | 第56-58页 |
| ·冗余金属填充优化实例 | 第58-59页 |
| ·冗余填充规则总结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
