| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·SiC材料的基本性质 | 第9-13页 |
| ·SiC材料的发展及现状 | 第13-14页 |
| ·SiC材料的刻蚀综述 | 第14-17页 |
| ·本文工作及组织结构 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 等离子体的相关知识 | 第20-29页 |
| ·等离子体理论 | 第20-21页 |
| ·等离子体的性质——电中性 | 第21-22页 |
| ·等离子体的产生方式 | 第22-26页 |
| ·等离子体干法刻蚀机理 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 CF_4/O_2下ICP刻蚀SiC的机理研究 | 第29-48页 |
| ·实验过程 | 第29-31页 |
| ·刻蚀结果与讨论 | 第31-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 金属/半导体肖特基接触 | 第48-58页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第48-53页 |
| ·肖特基势垒中的载流子输运理论 | 第53-56页 |
| ·肖特基势垒高度的测量 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 ICP刻蚀对SiC材料电学性质的影响 | 第58-65页 |
| ·Ni/4H-SiC肖特基二极管的制备 | 第58-59页 |
| ·实验结果与讨论 | 第59-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 附录:硕士期间发表论文及申请专利 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |