| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-25页 |
| 1．1 MMIC国内外发展概况 | 第11-20页 |
| 1．1．1 GaAs MESFET MMIC | 第12-14页 |
| 1．1．2 GaAs HENT MMIC | 第14-15页 |
| 1．1．3 Gats HBT MMIC | 第15-20页 |
| 1．2 MMIC技术与应用 | 第20-23页 |
| 1．3 本文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 GaAs MMIC无源元件 | 第25-32页 |
| 2．1 电容 | 第25-28页 |
| 2．2 电感 | 第28-30页 |
| 2．3 电阻 | 第30-31页 |
| 2．4 小结 | 第31-32页 |
| 第三章 GaAs MESFET研究 | 第32-46页 |
| 3．1 工作原理 | 第32-35页 |
| 3．2 小信号等效电路参数提取 | 第35-38页 |
| 3．3 双栅GaAs MESFET PSPICE直流模型 | 第38-45页 |
| 3．3．1 模型建立 | 第38-42页 |
| 3．3．2 GaAs双栅MESFET制备 | 第42-43页 |
| 3．3．3 结果与分析 | 第43页 |
| 3．3．4 结论 | 第43-45页 |
| 3．4 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 GaAs MESFET MMIC工艺技术研究 | 第46-69页 |
| 4．1 GaAs MESFET MMIC工艺研究 | 第46-64页 |
| 4．1．1 GaAs衬底材料选择 | 第50-51页 |
| 4．1．2 MESFET欧姆接触研究 | 第51-55页 |
| 4．1．3 GaAa湿法腐蚀 | 第55-58页 |
| 4．1．4 栅挖槽和栅电极 | 第58-59页 |
| 4．1．5 金属剥离技术 | 第59-60页 |
| 4．1．6 空气桥技术 | 第60-62页 |
| 4．1．7 S1Nx介质膜生长与刻蚀 | 第62-64页 |
| 4．2 GaAS MMIC工艺控制掩模版设计 | 第64-68页 |
| 4．3 小结 | 第68-69页 |
| 第五章 GaAs MMIC 混频器 | 第69-84页 |
| 5．1 工作原理 | 第70-75页 |
| 5．1．1 单栅MESFET混频器 | 第70-72页 |
| 5．1．2 双栅MESFET混频器 | 第72-74页 |
| 5．1．3 主要性能指标 | 第74-75页 |
| 5．2 双栅MESFET单片混频器设计和制备 | 第75-78页 |
| 5．3 单栅MESFET单片混频器设计与制备 | 第78-81页 |
| 5．4 混频器测试方法 | 第81-82页 |
| 5．5 三种混频器性能比较 | 第82-83页 |
| 5．6 小结 | 第83-84页 |
| 第六章 AlGaInP/GaAsHBT研究 | 第84-94页 |
| 6．1 异质结 | 第85-87页 |
| 6．2 异质结双极型晶体管 | 第87-89页 |
| 6．3 Al_（x）Ga_（0）52-xIn_（0）48P/GaAs HBT | 第89-90页 |
| 6．4 Al_（x）Ga_（0）52-xIn_（0）48P/GaAs深能级 | 第90-93页 |
| 6．5 小结 | 第93-94页 |
| 第七章 AlGaInP/GaAs 微波功率HBT设计 | 第94-110页 |
| 7．1 功率HBT设计考虑 | 第95-99页 |
| 7．2 器件材料结构设计 | 第99-102页 |
| 7．3 图形分布设计 | 第102-104页 |
| 7．4 版图设计 | 第104-109页 |
| 7．5 小结 | 第109-110页 |
| 第八章 AlGaInP/GaAs HBT制备及工艺研究 | 第110-124页 |
| 8．1 工艺流程 | 第110-112页 |
| 8．2 质子注入隔离 | 第112-116页 |
| 8．3 台面腐蚀 | 第116-120页 |
| 8．4 欧姆接触 | 第120-121页 |
| 8．5 其它工艺 | 第121-123页 |
| 8．6 小结 | 第123-124页 |
| 第九章 AlGaInP/GaAs 微波功率HBT测试方法和实验结果 | 第124-140页 |
| 9．1 直流特性测试 | 第124-126页 |
| 9．2 S参数测试 | 第126-129页 |
| 9．3 功率特性测试 | 第129-131页 |
| 9．4 测试结果与分析 | 第131-139页 |
| 9．5 小结 | 第139-140页 |
| 第十章 AlGaInP/GaAs HBT单片功率放大器设计 | 第140-150页 |
| 10．1 设计方法 | 第140-142页 |
| 10．2 功率合成技术 | 第142-143页 |
| 10．3 功率分配／合成电路设计 | 第143-146页 |
| 10．4 单片功率放大器设计 | 第146-149页 |
| 10．5 小结 | 第149-150页 |
| 第十一章 结论 | 第150-153页 |
| 参考文献 | 第153-160页 |
| 发表论文目录 | 第160-163页 |
| 致谢 | 第163-164页 |
| 个人简历 | 第164页 |
