| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-24页 |
| ·半导体量子点简介 | 第12-13页 |
| ·InAs/GaAs量子点的生长机理 | 第13-15页 |
| ·Stranski-Krastanov生长模式 | 第13-14页 |
| ·生长机理 | 第14-15页 |
| ·量子点材料表征手段 | 第15-17页 |
| ·AFM和STM | 第15-16页 |
| ·光致发光(photoluminescence)谱 | 第16-17页 |
| ·相关研究进展 | 第17-23页 |
| ·调节量子点辐射波长 | 第17-19页 |
| ·量子点覆盖过程研究 | 第19页 |
| ·量子点激光器 | 第19-20页 |
| ·量子点超辐射发光二极管 | 第20-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 GSMBE中InAs/GaAs量子点生长研究 | 第24-36页 |
| ·GSMBE生长InAs/GaAs量子点的生长温度优化 | 第24-29页 |
| ·GSMBE中InAs/GaAs量子点的低温生长区 | 第26-27页 |
| ·GSMBE中InAs/GaAs量子点的高温生长区 | 第27-29页 |
| ·GSMBE中生长InAs/GaAs量子点的InAs层厚度优化 | 第29-31页 |
| ·生长温度为425℃下的InAs层厚度优化 | 第29-30页 |
| ·生长温度为500℃下的InAs层厚度优化 | 第30-31页 |
| ·GSMBE中量子点覆盖过程的研究 | 第31-34页 |
| ·生长温度为425℃下的InAs量子点覆盖研究 | 第31-33页 |
| ·生长温度为500℃下的InAs量子点覆盖研究 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 GSMBE生长量子点激光器及器件工艺 | 第36-46页 |
| ·GSMBE生长量子点激光器结构 | 第36-37页 |
| ·脊波导结构量子点激光器工艺 | 第37-44页 |
| ·脊波导结构激光器简介 | 第37-38页 |
| ·激光器器件工艺流程 | 第38-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 InAs/GaAs量子点激光器测试 | 第46-54页 |
| ·激光器性能表征系统 | 第46-47页 |
| ·激光器测试结果 | 第47-52页 |
| ·激光器电学特性 | 第47-48页 |
| ·激光器激射光谱特性 | 第48-50页 |
| ·激光器功率和温度特性 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 作者简介 | 第66页 |
