| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-25页 |
| ·CMOS-MEMS系统 | 第9-12页 |
| ·MEMS技术 | 第9-10页 |
| ·CMOS-MEMS技术 | 第10-12页 |
| ·红外探测器 | 第12-14页 |
| ·MEMS热电堆红外探测器 | 第14-20页 |
| ·工作原理 | 第14-15页 |
| ·性能参数 | 第15-19页 |
| ·研究进展 | 第19-20页 |
| ·CMOS-MEMS集成热电堆红外探测系统 | 第20-23页 |
| ·本论文的研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 干法刻蚀释放的热电堆红外探测器 | 第25-45页 |
| ·热电堆红外探测器结构 | 第25-26页 |
| ·版图设计 | 第26-35页 |
| ·初始版图设计 | 第27-30页 |
| ·改进的版图设计 | 第30-35页 |
| ·制作工艺 | 第35-38页 |
| ·XeF_2刻蚀衬底释放器件 | 第38-40页 |
| ·器件特性测试 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-45页 |
| 第三章 PECVD淀积低应力Si_3N_4薄膜和XeF_2刻蚀硅工艺 | 第45-63页 |
| ·PECVD淀积低应力Si_3N_4薄膜工艺 | 第45-55页 |
| ·研究背景 | 第45-46页 |
| ·正交实验设计 | 第46-48页 |
| ·应力测量 | 第48-52页 |
| ·实验结果 | 第52-55页 |
| ·XeF_2刻蚀硅工艺 | 第55-61页 |
| ·实验目的 | 第55页 |
| ·实验设计 | 第55-56页 |
| ·数据测量 | 第56-58页 |
| ·实验结果 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 集成热电堆红外探测系统 | 第63-73页 |
| ·集成系统框架结构 | 第63-64页 |
| ·集成系统制作工艺 | 第64-67页 |
| ·N-MOSFET | 第67-72页 |
| ·版图设计 | 第67-68页 |
| ·制作工艺 | 第68-70页 |
| ·流片结果 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第78页 |
| 个人简历 | 第78-79页 |