| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| ·GaN 材料的发展现状 | 第10页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的发展现状 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·本文主要内容及组织结构 | 第13-15页 |
| 第2章 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管基本原理 | 第15-27页 |
| ·GaN 材料的性质和特点 | 第15-17页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构 | 第17-20页 |
| ·AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 | 第20-24页 |
| ·常规AlGaN/GaN HEMT 的局限性 | 第24-26页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMT 结构 | 第26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第3章 Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMT 理论计算 | 第27-36页 |
| ·异质结量子势阱 | 第27-29页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMT 自洽求解 | 第29-33页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMT 电学特性 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第4章 Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMT 优化仿真研究 | 第36-44页 |
| ·Silvaco TCAD 软件 | 第36-37页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/ Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMTs 交流特性仿真 | 第37-39页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/ Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMTs 的TCAD 软件仿真 | 第39-42页 |
| ·CC-HEMT 最优化外延层结构 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第5章 栅长1um A1_(0.3)Ga_(0.7)N/A1_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT 器件 | 第44-55页 |
| ·复合沟道AlGaN/GaN HEMT | 第44-46页 |
| ·栅长1um 的CC-HEMT 生长和制造 | 第46-50页 |
| ·栅长1um 的CC-HEMT 的性能 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第6章 Al_xGa_(1-x)N/AlN/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMT 仿真研究 | 第55-60页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/AlN/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMTs 结构 | 第55-56页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/AlN/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMTs 理论计算 | 第56-57页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/AlN/Al_yGa_(1-y)N/GaN HEMTs 理论分析 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第7章 栅长0.3um A1_(0.27)Ga_(0.73)N/AlN/A1_(0.04)Ga_(0.96)N/GaN HEMT 器件 | 第60-62页 |
| ·小尺寸效应 | 第60页 |
| ·栅长0.3um 的A1_(0.27)Ga_(0.73)N/AlN/A1_(0.04)Ga_(0.96)N/GaN HEMT 结构 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第8章 AlGaN/GaN HEMT 优化设计的总结与展望 | 第62-72页 |
| ·总结 | 第62-63页 |
| ·下一步展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 详细摘要 | 第70-72页 |
