0.18um SiGe BiCMOS工艺与器件的若干研究

摘要	第1-3页
Abstract	第3-9页
第一章 绪论	第9-11页
·SiGe技术国内外发展动态	第9-11页
第二章 双极型晶体管与MOS器件原理	第11-34页
·半导体的基本知识	第11-13页
·硅半导体中载流子的输运	第13-16页
·漂移电流与迁移率	第13-14页
·扩散电流与扩散系数	第14-16页
·PN结,突变PN结	第16-18页
·双极型晶体管器件原理	第18-27页
·SiBipolar晶体管器件原理	第18-21页
·SiGe HBT晶体管器件原理	第21-27页
·MOS器件物理知识	第27-34页
·MOS器件原理	第27-31页
·MOSFET的I-V特性	第31-34页
第三章 高频器件应用市场分析	第34-43页
·应用市场分析	第34-38页
·SiGe BiCMOS工艺初探	第38-43页
第四章 Si BiCMOS器件建模与工艺开发	第43-48页
·Si BiCMOS工艺方案的选择	第43-45页
·Si BJT器件工艺验证与模拟分析	第45-48页
第五章 Si BiCMOS器件测试与电性分析	第48-50页
第六章 SiGe HBT的性能分析及其设计依据	第50-54页
·集电极的设计	第50页
·基极的设计	第50页
·发射极的设计	第50-51页
·SiGe HBT版图设计	第51-54页
第七章 SiGe HBT器件测试与电性分析	第54-57页
·器件的DC测试结果分析	第54-55页
·器件的AC测试结果分析	第55-57页
第八章 结束语	第57-58页
参考文献	第58-59页
致谢	第59-61页