65nm以下CMOS镍硅化物中镍过度扩散的工艺优化

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
引言	第5-6页
第一章 半导体硅化物工艺现状	第6-12页
第一节 集成电路的发展趋势	第6-7页
第二节 金属硅化物工艺的演变	第7-10页
第三节 金属硅化物典型工艺流程	第10-12页
第二章 镍硅化物工艺	第12-23页
第一节 镍金属薄膜沉积工艺的介绍	第12-21页
第二节 高温快速退火工艺介绍	第21-23页
第三章 问题描述及实验目的	第23-29页
第一节 镍在硅中过度扩散引起良率低的问题	第23-24页
第二节 几种扩散现象及其形成机理的讨论	第24页
第三节 实验目的	第24-25页
第四节 实验材料和工具	第25页
第五节 实验内容	第25-29页
第四章 实验结果及分析讨论	第29-37页
第一节 镍铂合金薄膜填充性和均匀性检查结果	第29-30页
第二节 不同退火温度的对比实验	第30页
第三节 镍铂合金溅射工艺参数不同条件间的对比	第30-32页
第四节 对各工艺参数调整后不同条件间的对比	第32-33页
第五节 工艺窗口选择确认	第33-35页
第六节 镍硅化物的组分分析	第35页
第七节 讨论:基于成本考量的工艺优化	第35-37页
第五章 总结	第37-38页
参考文献	第38-40页