| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-11页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| ·半导体工艺的发展 | 第11-13页 |
| ·晶圆制造中的污染介绍 | 第13-20页 |
| ·污染的类型 | 第13-14页 |
| ·颗粒污染的介绍 | 第14-15页 |
| ·颗粒污染的常用测量工具 | 第15-17页 |
| ·LPCVD 氮化硅炉管生产工艺中的颗粒污染介绍 | 第17-20页 |
| ·LPCVD 氮化硅生产工艺中颗粒污染的传统解决方案 | 第20页 |
| ·研究本课题的意义、目的和内容 | 第20-22页 |
| 2 炉管设备和颗粒污染之间的关系 | 第22-34页 |
| ·LPCVD 立式氮化硅炉管的结构 | 第22-23页 |
| ·LPCVD 立式氮化硅炉管的结构对颗粒污染的影响 | 第23-32页 |
| ·工艺腔体对颗粒污染的影响 | 第23-27页 |
| ·气体分配系统对颗粒污染的影响 | 第27-29页 |
| ·压力控制系统对颗粒污染的影响 | 第29-31页 |
| ·晶圆传输系统对颗粒污染的影响 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 3 LPCVD 氮化硅薄膜制备工艺的研究 | 第34-43页 |
| ·薄膜制备工艺的介绍 | 第34-36页 |
| ·LPCVD 氮化硅薄膜制备工艺导致的颗粒污染 | 第36-41页 |
| ·工艺腔温度和颗粒污染的关系 | 第37-39页 |
| ·工艺腔压力和颗粒污染的关系 | 第39-40页 |
| ·气体流量和颗粒污染的关系 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 4 LPCVD 氮化硅工艺中颗粒污染的机理研究 | 第43-49页 |
| ·工艺腔上的氮化硅薄膜剥落的机理分析 | 第43-47页 |
| ·副产物中 NH4Cl 的结晶机理 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 5 LPCVD 氮化硅薄膜生产中颗粒污染的解决方案 | 第49-60页 |
| ·氮化硅薄膜剥落问题的解决方案 | 第49-53页 |
| ·Cycle Purge 的颗粒去除效果及试验 | 第49-50页 |
| ·真空管路加热带温度的试验方案 | 第50-53页 |
| ·NH4Cl 结晶问题的试验和解决方案 | 第53-54页 |
| ·试验结果的综合 | 第54页 |
| ·LPCVD 氮化硅炉管工艺颗粒污染的综合解决方案 | 第54-57页 |
| ·综合解决方案的试验验证 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 6 工作成果总结及推广 | 第60-62页 |
| ·工作成果总结 | 第60页 |
| ·工作成果推广 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第66页 |
