| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 纳米级MOSFETs的小尺寸效应及自热效应研究 | 第15-38页 |
| 2.1 纳米级MOSFETs的短沟道效应 | 第15-22页 |
| 2.1.1 漏致势垒降低和源漏穿通效应 | 第15-16页 |
| 2.1.2 强电场效应 | 第16-18页 |
| 2.1.3 阈值漂移效应 | 第18-21页 |
| 2.1.4 热电子效应 | 第21-22页 |
| 2.2 多栅MOSFETs中载流子迁移率的主要散射机制 | 第22-30页 |
| 2.2.1 超薄体硅薄膜声子散射 | 第24-26页 |
| 2.2.2 界面粗糙度散射 | 第26-29页 |
| 2.2.3 库伦散射 | 第29-30页 |
| 2.3 小尺寸非平面MOS器件的自热效应 | 第30-37页 |
| 2.3.1 声子热导率与温度的关系 | 第31-33页 |
| 2.3.2 尺寸对热导率的影响 | 第33-35页 |
| 2.3.3 杂质散射的限制 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 小尺寸MOSFETs的 3D TCAD建模研究 | 第38-55页 |
| 3.1 小尺寸效应的相关建模研究 | 第38-45页 |
| 3.1.1 量子效应（QME）建模 | 第39-41页 |
| 3.1.2 短沟道效应（SCE）建模 | 第41-45页 |
| 3.2 小尺寸MOSFETs的 3D TCAD仿真研究 | 第45-47页 |
| 3.2.1 三维网格划分 | 第46-47页 |
| 3.2.2 数值函数方法的选取 | 第47页 |
| 3.3 晶向模型的应用及仿真实现 | 第47-53页 |
| 3.3.1 晶向模型参数的调用 | 第49-51页 |
| 3.3.2 晶向模型应用 | 第51-52页 |
| 3.3.3 新型材料定义方法 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 纳米级 3D MOSFETs的晶向及散热研究 | 第55-70页 |
| 4.1 晶向模型在非平面多栅MOS器件中的应用 | 第55-60页 |
| 4.1.1 沟道面晶向的影响 | 第56-57页 |
| 4.1.2 载流子迁移率研究 | 第57-60页 |
| 4.2 T型栅结构的 3D MOSFET的结构及性能研究 | 第60-66页 |
| 4.2.1 T栅MOSFET的结构设计 | 第61-62页 |
| 4.2.2 T栅MOSFET的电学特性仿真 | 第62-65页 |
| 4.2.2.1 电学特性对比 | 第62-63页 |
| 4.2.2.2 短沟道效应分析 | 第63-64页 |
| 4.2.2.3 载流子迁移率研究 | 第64-65页 |
| 4.2.3 T栅MOSFET的散热仿真 | 第65-66页 |
| 4.3 T型栅结构的SOI MOSFET的结构及性能研究 | 第66-69页 |
| 4.3.1 T栅SOI MOSFET的结构设计 | 第66-67页 |
| 4.3.2 T栅SOI MOSFET的电学特性仿真 | 第67-68页 |
| 4.3.3 T栅SOI MOSFET的散热仿真 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
