6500V IGBT的分析与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-17页 |
| 1.1.1 电力电子技术的发展 | 第10-11页 |
| 1.1.2 IGBT的发展概况 | 第11-17页 |
| 1.2 课题研究意义 | 第17-18页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 IGBT基本理论 | 第19-32页 |
| 2.1 IGBT基本结构 | 第19页 |
| 2.2 IGBT工作原理 | 第19-21页 |
| 2.3 IGBT静态特性 | 第21-28页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第21-22页 |
| 2.3.2 正向电压 | 第22-26页 |
| 2.3.3 击穿电压 | 第26-28页 |
| 2.4 IGBT动态特性 | 第28-30页 |
| 2.5 IGBT安全工作区 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 IGBT设计 | 第32-58页 |
| 3.1 IGBT工艺设计 | 第32-34页 |
| 3.2 IGBT结构设计 | 第34-54页 |
| 3.2.1 IGBT元胞设计 | 第34-46页 |
| 3.2.1.1 IGBT的MOS部分设计 | 第34-38页 |
| 3.2.1.2 IGBT的漂移区设计 | 第38-40页 |
| 3.2.1.3 IGBT的N-buffer层设计 | 第40-43页 |
| 3.2.1.4 IGBT集电极设计 | 第43页 |
| 3.2.1.5 IGBT新型T型栅设计 | 第43-46页 |
| 3.2.2 IGBT终端设计 | 第46-54页 |
| 3.2.2.1 场限环技术 | 第47-49页 |
| 3.2.2.2 场板技术 | 第49-52页 |
| 3.2.2.3 本课题终端结构设计 | 第52-54页 |
| 3.3 IGBT版图设计 | 第54-56页 |
| 3.3.1 元胞版图设计 | 第54-55页 |
| 3.3.2 终端版图设计 | 第55页 |
| 3.3.3 版图方案设计 | 第55-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 流片结果分析 | 第58-63页 |
| 4.1 流片结果 | 第58-60页 |
| 4.2 流片结果分析 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
