摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 OTFT气体传感器研究进展 | 第10-13页 |
1.2.1 国外研究现状 | 第10-12页 |
1.2.2 国内研究现状 | 第12-13页 |
1.3 OTFT气体传感器主要参数以及应用前景 | 第13-14页 |
1.3.1 OTFT气体传感器主要参数 | 第13-14页 |
1.3.2 有机薄膜晶体管的优点及应用前景 | 第14页 |
1.4 论文选题意义以及研究内容 | 第14-16页 |
第二章 有机薄膜晶体管气体传感器的结构及制备 | 第16-24页 |
2.1 有机薄膜晶体管的结构 | 第16页 |
2.2 有机薄膜晶体管气体传感器的制备 | 第16-22页 |
2.2.1 衬底材料的选择与制备 | 第16-17页 |
2.2.2 绝缘层材料的选择与制备 | 第17-18页 |
2.2.3 金属电极层的制备 | 第18-19页 |
2.2.4 有机半导体层 | 第19-22页 |
2.3 有机薄膜晶体管气体传感器的性能测试平台 | 第22-23页 |
2.4 OTFT气体传感器工作原理 | 第23页 |
2.5 本章小结 | 第23-24页 |
第三章 基于 α-6T的OTFT器件的制备及性能研究 | 第24-37页 |
3.1 六噻吩(α-6T)及 α-6T/C_(61)复合薄膜OTFT器件研究 | 第24-31页 |
3.1.1 六噻吩(α-6T)单层薄膜与 α-6T/C_(61)复合薄膜制备 | 第24-25页 |
3.1.2 α-6T与 α-6T/C_(61)的薄膜表征分析 | 第25-26页 |
3.1.3 基于 α-6T与 α-6T/C_(61)的OTFT器件性能测试与分析 | 第26-31页 |
3.2 不同质量比的六噻吩(α-6T)/Zn O OTFT器件研究 | 第31-35页 |
3.2.1 不同质量比的六噻吩 α-6T/ZnO薄膜的制备 | 第31-32页 |
3.2.2 不同质量比的六噻吩(α-6T)/ZnO-TFT电学性能测试与分析 | 第32-34页 |
3.2.3 不同质量比的六噻吩(α-6T)/ZnO–TFT气敏性能测试 | 第34-35页 |
3.2.4 不同质量比的六噻吩(α-6T)/ZnO OTFT气体传感器气敏性机理 | 第35页 |
3.3 本章小结 | 第35-37页 |
第四章 基于P3HT的OTFT器件的制备及性能研究 | 第37-63页 |
4.1 引言 | 第37-38页 |
4.2 基于P3HT与C_(61)的4种结构的OTFT器件研究 | 第38-52页 |
4.2.1 基于P3HT与C_(61)的4种不同结构的薄膜制备 | 第38-39页 |
4.2.2 基于P3HT与C_(61)的4种NH3OTFT气体传感器性能测试 | 第39-47页 |
4.2.3 四种不同结构薄膜的表征分析 | 第47-48页 |
4.2.4 四种OTFT器件对NH_3气敏机理分析 | 第48页 |
4.2.5 四种OTFT器件对NO_2气敏测试与分析 | 第48-52页 |
4.3 基于P3HT与RGO的OTFT器件研究 | 第52-55页 |
4.3.1 P3HT薄膜、P3HT-RGO分层薄膜的制备 | 第52-53页 |
4.3.2 基于P3HT-TFT与P3HT-RGO-TFT的NH_3气体传感器性能测试 | 第53-55页 |
4.4 基于P3HT与Tips-pentacene的OTFT器件研究 | 第55-62页 |
4.4.1 P3HT/Tips-pentacene复合薄膜制备 | 第55-56页 |
4.4.2 不同温度下P3HT/Tips-pentacene-TFT电学性能测试 | 第56-57页 |
4.4.3 不同温度下P3HT/Tips-pentacene-TFT对NO_2响应测试 | 第57-59页 |
4.4.4 不同温度下P3HT/Tips-pentacene-TFT对NO_2机理分析 | 第59-60页 |
4.4.5 不同膜厚P3HT/Tips-pentacene-TFT性能测试 | 第60-62页 |
4.5 本章小结 | 第62-63页 |
第五章 有机薄膜晶体管气体传感器阵列的制备研究 | 第63-70页 |
5.1 引言 | 第63-64页 |
5.2 OTFT气体传感器阵列的制备 | 第64-69页 |
5.3 本章小结 | 第69-70页 |
第六章 结论与展望 | 第70-72页 |
6.1 论文结论总结 | 第70-71页 |
6.2 前景展望 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-78页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第78-79页 |