| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 论文背景和意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 高压集成和半桥驱动电路概述 | 第9-10页 |
| 1.1.2 Si-IGBT+SiC-SBD混合模块栅极驱动技术的研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 栅极驱动技术概述 | 第11-13页 |
| 1.2.1 栅极驱动技术国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 栅极驱动技术发展趋势 | 第13页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第13-14页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第14页 |
| 1.4 本文论文组织 | 第14-17页 |
| 第二章 Si-IGBT+SiC-SBD混合模块驱动机理概述 | 第17-29页 |
| 2.1 硅基IGBT器件分析 | 第17-21页 |
| 2.1.1 IGBT内部结构 | 第17-19页 |
| 2.1.2 IGBT开关特性 | 第19-21页 |
| 2.2 混合模块特性分析 | 第21-28页 |
| 2.2.1 SiC SBD开关特性 | 第21-23页 |
| 2.2.2 混合模块开启电流振荡问题分析 | 第23-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 传统栅驱动技术分析 | 第29-33页 |
| 3.1 传统无源栅驱动技术 | 第29-31页 |
| 3.2 传统有源栅驱动技术 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 混合模块栅驱动技术研究与电路设计 | 第33-47页 |
| 4.1 应用于Si-IGBT+SiC-SBD混合模块的栅驱动电路原理和架构 | 第33-36页 |
| 4.1.1 电路控制原理 | 第33-35页 |
| 4.1.2 电路架构设计 | 第35-36页 |
| 4.2 应用于Si-IGBT+SiC-SBD混合模块的栅驱动电路设计 | 第36-44页 |
| 4.2.1 运算放大器设计 | 第36-39页 |
| 4.2.2 dVGE/dt检测和d(dic/dt)/dt检测电路设计 | 第39-41页 |
| 4.2.3 逻辑使能电路设计 | 第41-42页 |
| 4.2.4 栅极驱动电流源设计 | 第42-44页 |
| 4.3 总体电路仿真分析 | 第44-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 电路版图设计与测试 | 第47-57页 |
| 5.1 电路版图设计 | 第47-50页 |
| 5.1.1 SOI BCD工艺介绍 | 第47-49页 |
| 5.1.2 版图设计规则 | 第49页 |
| 5.1.3 电路版图 | 第49-50页 |
| 5.2 流片结果测试与分析 | 第50-55页 |
| 5.2.1 测试电路 | 第50-53页 |
| 5.2.2 开启电流振荡时间测试 | 第53页 |
| 5.2.3 开启电流过冲和开启损耗测试 | 第53-54页 |
| 5.2.4 测试结果分析 | 第54-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 总结 | 第57页 |
| 6.2 展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 硕士期间取得成果 | 第65页 |
