| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-13页 |
| 1.1.1 反激式开关电源工作原理 | 第9-11页 |
| 1.1.2 超结VDMOS在反激式开关电源中的应用优势 | 第11-12页 |
| 1.1.3 反激式开关电源辐射EMI噪声问题 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 系统辐射EMI噪声国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.2 超结VDMOS对系统辐射EMI噪声的影响国内外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 论文主要工作与设计指标 | 第16-18页 |
| 1.3.1 论文主要工作 | 第16-17页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第17-18页 |
| 1.4 论文组织 | 第18-19页 |
| 第二章 超结VDMOS电学特性及辐射EMI噪声基础理论 | 第19-39页 |
| 2.1 超结VDMOS器件电学特性与工作原理 | 第19-31页 |
| 2.1.1 耐压特性 | 第19-24页 |
| 2.1.2 导通特性 | 第24-25页 |
| 2.1.3 栅电容特性 | 第25-28页 |
| 2.1.4 开关工作原理 | 第28-31页 |
| 2.2 系统辐射EMI噪声基础理论 | 第31-38页 |
| 2.2.1 辐射EMI噪声基本概念 | 第31-33页 |
| 2.2.2 辐射EMI噪声与谐波 | 第33-35页 |
| 2.2.3 辐射EMI噪声与系统开关特性 | 第35-38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 超结VDMOS辐射EMI噪声机制研究 | 第39-59页 |
| 3.1 系统级辐射EMI噪声机制研究 | 第39-46页 |
| 3.1.1 测试平台搭建 | 第39-42页 |
| 3.1.2 系统级辐射EMI噪声测试及结果 | 第42-46页 |
| 3.2 器件级辐射EMI噪声机制理论分析 | 第46-50页 |
| 3.3 超结VDMOS辐射EMI噪声仿真平台搭建 | 第50-52页 |
| 3.4 现有器件的辐射EMI噪声仿真、实测验证 | 第52-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 600V网格沟槽栅超结VDMOS结构的设计与仿真分析 | 第59-75页 |
| 4.1 600V网格沟槽栅超结VDMOS结构的提出 | 第59-63页 |
| 4.2 器件静态电学特性参数设计 | 第63-68页 |
| 4.2.1 耐压设计 | 第63-66页 |
| 4.2.2 导通电阻设计 | 第66-68页 |
| 4.3 辐射EMI噪声与损耗折衷设计 | 第68-74页 |
| 4.3.1 器件开关栅极平台电压对辐射EMI噪声和损耗的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.2 器件寄生栅电容、集成栅电阻对辐射EMI噪声和损耗的影响 | 第70-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 600V网格沟槽栅超结VDMOS器件的流片及辐射EMI噪声实测验证 | 第75-85页 |
| 5.1 网格沟槽栅超结VDMOS器件结构的工艺流程设计 | 第75-78页 |
| 5.2 网格沟槽栅超结VDMOS器件结构的版图设计 | 第78-79页 |
| 5.3 网格沟槽栅超结VDMOS器件的实测验证结果 | 第79-83页 |
| 5.3.1 静态电学特性实测验证 | 第79-81页 |
| 5.3.2 动态电学特性实测验证 | 第81-82页 |
| 5.3.3 系统中辐射EMI噪声实测验证 | 第82-83页 |
| 5.4 本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 总结与展望 | 第85-87页 |
| 6.1 总结 | 第85-86页 |
| 6.2 展望 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第93页 |
