等离子体刻蚀的动力学模型及三维模拟
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 刻蚀技术简介 | 第8页 |
| 1.2 刻蚀技术发展历程 | 第8-10页 |
| 1.3 刻蚀模拟方法介绍 | 第10-11页 |
| 1.4 课题背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.5 课题主要工作 | 第12页 |
| 1.6 本章总结 | 第12-14页 |
| 第二章 干法刻蚀技术 | 第14-28页 |
| 2.1 MEMS技术中常用的刻蚀工艺 | 第14-17页 |
| 2.1.1 反应离子刻蚀 | 第14-15页 |
| 2.1.2 ICP刻蚀 | 第15-16页 |
| 2.1.3 Bosch刻蚀 | 第16-17页 |
| 2.1.4 离子溅射刻蚀 | 第17页 |
| 2.1.5 反应气体刻蚀 | 第17页 |
| 2.2 等离子体刻蚀模拟的常用模型 | 第17-22页 |
| 2.2.1 粒子方法模型 | 第18-19页 |
| 2.2.2 动力学模型 | 第19-22页 |
| 2.3 等离子体刻蚀模拟的常用算法 | 第22-26页 |
| 2.3.1 线算法 | 第22-23页 |
| 2.3.2 水平集算法 | 第23-24页 |
| 2.3.3 元胞算法 | 第24-26页 |
| 2.4 本章总结 | 第26-28页 |
| 第三章 等离子体刻蚀模型 | 第28-46页 |
| 3.1 模型简介 | 第28页 |
| 3.2 模型基本假设 | 第28-31页 |
| 3.3 反应速率计算 | 第31-34页 |
| 3.3.1 离子掺入 | 第31-32页 |
| 3.3.2 中性粒子吸附 | 第32页 |
| 3.3.3 物理溅射 | 第32-33页 |
| 3.3.4 产生空穴 | 第33页 |
| 3.3.5 离子辅助刻蚀 | 第33页 |
| 3.3.6 致密化反应 | 第33-34页 |
| 3.3.7 空位键湮灭 | 第34页 |
| 3.3.8 自发反应 | 第34页 |
| 3.4 平衡方程与数值计算 | 第34-35页 |
| 3.5 模型应用举例 | 第35-37页 |
| 3.6 模型结果与讨论 | 第37-45页 |
| 3.6.1 不同流量比 | 第41页 |
| 3.6.2 不同离子能量 | 第41-43页 |
| 3.6.3 角度分布 | 第43-45页 |
| 3.7 本章总结 | 第45-46页 |
| 第四章 算法与模拟结果 | 第46-64页 |
| 4.1 算法简介 | 第46-50页 |
| 4.1.1 算法流程 | 第46-48页 |
| 4.1.2 算法测试 | 第48-50页 |
| 4.2 模拟结果和实验结果的刻蚀形貌比较分析 | 第50-56页 |
| 4.2.1 不同粒子离子比 | 第50-52页 |
| 4.2.2 不同离子能量 | 第52页 |
| 4.2.3 不同角度分布 | 第52-55页 |
| 4.2.4 再淀积效应 | 第55-56页 |
| 4.3 刻蚀形貌分析 | 第56-62页 |
| 4.3.1 离子反射 | 第56页 |
| 4.3.2 离子角度分布 | 第56-58页 |
| 4.3.3 掩膜形状 | 第58-60页 |
| 4.3.4 负载效应 | 第60-62页 |
| 4.4 本章总结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第64页 |
| 5.2 存在问题 | 第64-65页 |
| 5.3 展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者简介 | 第72页 |
