| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| ·低功耗设计技术的研究背景 | 第10-12页 |
| ·功控单轨电流模设计技术研究的重要性及论文的主要工作 | 第12-14页 |
| 2 电流模逻辑电路设计技术 | 第14-25页 |
| ·电流模逻辑电路的工作原理 | 第14-16页 |
| ·双轨电流模电路 | 第16-19页 |
| ·双轨电流模基本电路 | 第17-19页 |
| ·单轨电流模电路 | 第19-22页 |
| ·单轨电流模电路设计参数 | 第22-24页 |
| ·电源电压VDD | 第22-23页 |
| ·电压摆幅 ΔV | 第23页 |
| ·下拉网络NMOS管的宽度和长度W、L | 第23页 |
| ·PMOS负载器件的宽度和长度W、L | 第23-24页 |
| ·恒流源NMOS器件的宽度和长度W、L | 第24页 |
| ·本章总结 | 第24-25页 |
| 3 静态CMOS功控休眠技术 | 第25-28页 |
| ·静态CMOS功控休眠技术的工作原理 | 第25-26页 |
| ·静态CMOS功控电路的重要参数 | 第26-27页 |
| ·功控休眠管的尺寸 | 第26页 |
| ·功控休眠管的转换速率 | 第26-27页 |
| ·开关电容数量 | 第27页 |
| ·功控休眠管的泄漏电流 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 4 功控单轨电流模电路的研究 | 第28-51页 |
| ·功控单轨电流模电路的建模技术 | 第28-33页 |
| ·工作时候消耗的能量Eactive | 第29-31页 |
| ·空闲时候消耗的能量Esleep | 第31-32页 |
| ·睡眠晶体管开关时消耗的能量EON、EOFF | 第32-33页 |
| ·功控单轨电流模组合电路 | 第33-40页 |
| ·标准门电路以及一位全加器 | 第33-36页 |
| ·基准电路c17 | 第36-40页 |
| ·功控单轨电流模时序电路 | 第40-50页 |
| ·触发器 | 第40-46页 |
| ·十进制计数器 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 近阈值功控单轨电流模电路的研究 | 第51-57页 |
| ·多种功控方法 | 第51-53页 |
| ·近阈值技术的应用 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 在学研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |