| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·ZnS材料特性及其应用 | 第9-10页 |
| ·ZnS材料特性简介 | 第9-10页 |
| ·ZnS光学元件的应用 | 第10页 |
| ·超光滑表面先进加工工艺 | 第10-16页 |
| ·本文研究的主要内容和章节安排 | 第16-18页 |
| ·研究主要内容 | 第16-17页 |
| ·章节的安排 | 第17-18页 |
| 2 刻蚀抛光的前期准备 | 第18-24页 |
| ·ZnS晶片选取 | 第18-20页 |
| ·ZnS晶片的清洗 | 第20-21页 |
| ·ZnS晶片的表面评价参数与测量 | 第21-23页 |
| ·表面质量参数 | 第21-22页 |
| ·表面参数测量 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 离子束抛光ZnS工艺研究 | 第24-30页 |
| ·刻蚀抛光机理及实验过程 | 第24-26页 |
| ·实验结果与分析 | 第26-29页 |
| ·离子束能量对ZnS刻蚀速率及表面粗糙度的影响 | 第26-27页 |
| ·离子束流密度对ZnS刻蚀速率及表面粗糙度的影响 | 第27-28页 |
| ·离子束入射角度对ZnS刻蚀速率及表面粗糙度的影响 | 第28-29页 |
| ·实验结论 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 4 离子束-牺牲层抛光ZnS工艺研究 | 第30-43页 |
| ·牺牲层技术简介 | 第30-33页 |
| ·ZnS表面牺牲层薄膜制备与平坦化研究 | 第33-40页 |
| ·离子束-牺牲层抛光工艺 | 第33-35页 |
| ·牺牲层光刻胶薄膜制备 | 第35-37页 |
| ·牺牲层薄膜表面平坦化研究 | 第37-40页 |
| ·ZnS晶片离子束-牺牲层抛光技术实验 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 5 总结与展望 | 第43-45页 |
| ·总结 | 第43页 |
| ·展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |