| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| §1.1 引言 | 第10-11页 |
| §1.2 石墨烯(graphene)的结构与基本性质 | 第11-13页 |
| ·力学性质 | 第11-12页 |
| ·热学性质 | 第12页 |
| ·光学性质 | 第12页 |
| ·电学性质 | 第12-13页 |
| §1.3 石墨烯制备方法研究进展 | 第13-15页 |
| §1.4 本论文研究的内容 | 第15-16页 |
| 第二章 石墨烯CVD法制备及表征 | 第16-23页 |
| §2.1 生长石墨烯的冷壁腔化学气相沉积(Cold-wall CVD)系统 | 第16-17页 |
| §2.2 石墨烯CVD实验过程 | 第17-18页 |
| §2.3 石墨烯在Ni上的生长机制 | 第18-19页 |
| §2.4 拉曼光谱表征石墨烯 | 第19-21页 |
| §2.5 扫描电子显微镜表征石墨烯 | 第21-23页 |
| 第三章 在镍箔表面CVD生长高质量均匀双层石墨烯 | 第23-27页 |
| §3.1 实验过程 | 第23-24页 |
| §3.2 结果与讨论 | 第24-26页 |
| §3.3 小结 | 第26-27页 |
| 第四章 磁控溅射金属CVD法生长石墨烯 | 第27-31页 |
| §4.1 磁控溅射镍基底上CVD生长石墨烯 | 第27页 |
| §4.2 磁控溅射铜基底上CVD生长石墨烯 | 第27-28页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第28-30页 |
| §4.4 小结 | 第30-31页 |
| 第五章 硅纳米线阵列溅射镍膜CVD法生长石墨烯 | 第31-39页 |
| §5.1 硅纳米线阵列(Silicon nanowire arrays)及其制备方法 | 第31页 |
| §5.2 硅纳米线阵列溅射镍膜CVD法生长石墨烯实验过程 | 第31-33页 |
| §5.3 结果与讨论 | 第33-38页 |
| §5.4 小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 硕士期间发表学术论文 | 第44页 |
