首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--印刷电路论文

DDR3高速并行总线的信号与电源完整性分析

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
目录第7-10页
第一章 绪论第10-13页
   ·研究背景与意义第10-11页
   ·国内外现状第11页
   ·论文主要工作及内容安排第11-13页
     ·论文主要工作第11-12页
     ·论文内容安排第12-13页
第二章 高速PCB设计基础理论及其设计方法第13-19页
   ·传输线基础理论第13-15页
     ·传输线第13-14页
     ·特性阻抗的计算第14-15页
     ·传输线的分类第15页
   ·信号完整性简介第15页
   ·高速PCB的设计方法第15-18页
     ·设计流程与方法第16页
     ·高速电路仿真工具介绍第16-17页
     ·IBIS模型第17-18页
   ·本章小结第18-19页
第三章 反射理论及其仿真分析第19-32页
   ·反射现象的形成第19-22页
     ·反射的基本理论与概念第19-20页
     ·反射现象的仿真第20-22页
   ·反射现象的影响因素仿真分析第22-24页
     ·信号源内阻、传输线阻抗对反射的影响第22-23页
     ·传输线延时长度对反射的影响第23页
     ·驱动端信号源频率对反射的影响第23-24页
   ·反射现象的常见解决方法及其仿真分析第24-31页
     ·并行端接及其仿真分析第24-27页
     ·串行端接及其仿真分析第27-28页
     ·点对多点网络的反射分析与仿真第28-31页
   ·本章小结第31-32页
第四章 串扰理论及其仿真分析第32-40页
   ·串扰的形成机理第32-33页
   ·串扰现象的影响因素及仿真分析第33-38页
     ·电流方向对串扰的影响第34-35页
     ·走线间距对串扰的影响第35-36页
     ·耦合长度对串扰的影响第36-37页
     ·阻抗对串扰的影响第37-38页
     ·驱动端频率对串扰的影响第38页
   ·串扰现象的抑制方法第38-39页
   ·本章小结第39-40页
第五章 电源完整性分析第40-50页
   ·电源完整性设计的重要性第40页
   ·电源分布系统(PDS)的构成第40-46页
     ·电源系统的噪声来源第41页
     ·目标阻抗第41-42页
     ·电压调节模块(VRM)第42-43页
     ·去耦电容器第43-46页
     ·电源平面第46页
   ·CADENCE PI设计方法与步骤第46-47页
   ·单节点仿真与多节点仿真第47-48页
   ·电容的有效去耦半径第48-49页
   ·本章小结第49-50页
第六章 板载DDR3内存高速电路板实例分析第50-81页
   ·“STRATIX Ⅳ GX FPGA DEVELOPMENT BOARD”电路板简介第50-51页
   ·DDR3特点与设计指标第51-57页
     ·DDR3特点简介第51-52页
     ·DDR3设计指标第52-57页
   ·仿真前的准备工作第57-60页
     ·IBIS模型的验证与修改第57-58页
     ·Cadence仿真设置第58-60页
   ·数据总线的仿真分析第60-66页
     ·DQ信号线拓扑结构第60页
     ·DQ信号的仿真分析第60-66页
   ·数据选通信号的仿真分析第66-68页
     ·DQS信号线拓扑结构第66页
     ·DQS信号的仿真分析第66-68页
   ·地址总线的仿真分析第68-71页
     ·地址线拓扑结构第68-69页
     ·地址线的仿真分析第69-71页
   ·仿真与实测对比第71-77页
     ·测试环境与仪器介绍第71-72页
     ·仿真与实测对比分析第72-76页
     ·DDR3并行总线的布线规范总结第76-77页
   ·电源完整性分析第77-80页
     ·仿真准备工作第77-78页
     ·单节点仿真与分析第78页
     ·多节点仿真与分析第78-80页
   ·本章小结第80-81页
第七章 总结与展望第81-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-84页

论文共84页,点击 下载论文
上一篇:硅纳米线阵列磁控溅射镍膜上化学气相沉积(CVD)石墨烯的研究
下一篇:LTE物理层下行链路的分析与仿真