| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-12页 |
| BCD工艺关键技术简介 | 第6页 |
| BCD工艺的基本要求 | 第6页 |
| 国内外相关领域的研究发展 | 第6-8页 |
| 器件SPICE模型简介 | 第8-9页 |
| 高压Lateral-DMOS建模意义 | 第9页 |
| 本文的工作 | 第9-12页 |
| 第一章 DMOS器件工艺 | 第12-16页 |
| ·普通MOS器件 | 第12-13页 |
| ·DMOS与普通MOS器件工艺比较 | 第13-16页 |
| 第二章 LDMOS模型的假设 | 第16-22页 |
| ·实验数据收集 | 第16-19页 |
| ·特性分析 | 第19-22页 |
| 第三章 LDMOS模型建立 | 第22-44页 |
| ·漂移区电阻分析 | 第22-23页 |
| ·沟道区和漂移区电阻的计算 | 第23-29页 |
| ·器件模型的建立 | 第29-30页 |
| ·准饱和宏模型的建立 | 第30-35页 |
| ·碰撞电离的宏模型建立 | 第35-36页 |
| ·自热效应特性模拟 | 第36-41页 |
| ·宏模型子电路综合方法 | 第41-44页 |
| 第四章 模型验证 | 第44-48页 |
| ·模型参数提取 | 第44-45页 |
| ·模型验证 | 第45-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 结束语 | 第48-49页 |
| 主要文献 | 第49-52页 |