| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 Ⅲ族氮化物材料特性、生长工艺、特性表征及器件应用 | 第10-29页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·Ⅲ族氮化物的基本结构与性质 | 第10-13页 |
| ·GaN基材料的基本结构 | 第10-12页 |
| ·Ⅲ族氮化物的结构参数与带隙关系 | 第12-13页 |
| ·GaN基材料的制备与特性表征 | 第13-18页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·MOCVD生长原理与源材料 | 第14-16页 |
| ·材料表征 | 第16-18页 |
| ·X射线双晶衍射技术(DCXRD) | 第16-17页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第17-18页 |
| ·GaN基体材料的制备历史 | 第18-20页 |
| ·GaN基器件研究进展 | 第20-22页 |
| ·本论文工作的内容与安排 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第二章 LED电流分布的理论分析 | 第29-37页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·GaN基LED的理论研究 | 第29-35页 |
| ·GaN基LED结构网络模型及计算方法 | 第30-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 与GaN晶格匹配的AlInN材料的外延生长及特性研究 | 第37-60页 |
| ·与GaN晶格匹配的AlInN薄膜外延生长 | 第37-50页 |
| ·不同厚度AlInN缓冲层对外延片晶体质量的影响 | 第38-40页 |
| ·不同缓冲层的插入层对外延片晶体质量的影响 | 第40-41页 |
| ·源的流量变化对外延片组份的影响 | 第41-43页 |
| ·生长温度对外延材料的影响 | 第43-46页 |
| ·生长室的压强对外延材料的影响 | 第46-50页 |
| ·外延材料光学特性的研究 | 第50-53页 |
| ·温度对光学特性的影响 | 第50-52页 |
| ·压强对光学特性的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 第四章 GaN基紫外LED材料的生长及其器件研究 | 第60-70页 |
| ·GaN基紫外LED材料的生长 | 第60-61页 |
| ·GaN基LED外延片性能测试 | 第61-63页 |
| ·芯片制作过程 | 第63-66页 |
| ·器件结果 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-71页 |
| 硕士期间发表的论文目录 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |