| 致谢 | 第1-6页 |
| 发表论文及申请专利 | 第6-10页 |
| 中文摘要 | 第10-12页 |
| 英文摘要 | 第12-18页 |
| 前言 | 第18-22页 |
| 第一章 文献综述 | 第22-52页 |
| 1．1 引言 | 第22页 |
| 1．2 平板显示器件（FPD） | 第22-26页 |
| 1．2．1 电子显示器件的作用、功能和分类 | 第22-23页 |
| 1．2．2 FPD的发展简况 | 第23-25页 |
| 1．2．3 常见的FPD | 第25-26页 |
| 1．3 场发射显示器（FED）的特点及阴极场发射材料 | 第26-31页 |
| 1．3．1 CRT与FED的异同 | 第26-29页 |
| 1．3．2 FED用阴极场发射材料 | 第29-31页 |
| 1．4 场发射显示器（FED）用阳极荧光材料 | 第31-40页 |
| 1．4．1 场致发光原理和场致发光效率@14 | 第31-33页 |
| 1．4．2 FED用荧光粉的特点 | 第33-35页 |
| 1．4．3 新型FED用荧光粉的研制 | 第35-36页 |
| 1．4．4 ZnO:Zn荧光粉的发光机理 | 第36-38页 |
| 1．4．5 FED器件荧光屏的涂屏工艺 | 第38-39页 |
| 1．4．6 FED用超细荧光粉和荧光薄膜 | 第39-40页 |
| 1．5 场发射显示器（FED）用隔离柱材料以及器件封装 | 第40-41页 |
| 1．6 场发射显示器（FED）器件研制和产业化 | 第41-46页 |
| 1．6．1 FED器件研制和产业化进展 | 第41-45页 |
| 1．6．2 我国FED器件研制的现状 | 第45-46页 |
| 1．7 论文工作的研究思路 | 第46-47页 |
| 本章参考文献 | 第47-52页 |
| 第二章 场发射显示器样管的设计和制作 | 第52-73页 |
| 2．1 引言 | 第52页 |
| 2．2 设计思想的提出 | 第52-54页 |
| 2．3 无矩阵选址单色场发射显示器的设计和制作 | 第54-61页 |
| 2．3．1 设计方案 | 第54-56页 |
| 2．3．2 阴极、阳极和隔离柱的制作 | 第56-58页 |
| 2．3．3 样管的封装 | 第58-59页 |
| 2．3．4 样管的调试和性能指标 | 第59-60页 |
| 2．3．5 样管存在的问题和对策 | 第60-61页 |
| 2．4 矩阵选址单色场发射显示器样管的设计和制作 | 第61-71页 |
| 2．4．1 设计方案 | 第61-64页 |
| 2．4．2 阴极板的制作 | 第64-67页 |
| 2．4．3 阳极板的制作 | 第67-69页 |
| 2．4．4 隔离柱的制作 | 第69页 |
| 2．4．5 样管的封装 | 第69-70页 |
| 2．4．6 样管的驱动电路和专用电源 | 第70-71页 |
| 2．5 本章小结 | 第71页 |
| 本章参考文献 | 第71-73页 |
| 第三章 场发射阳极荧光粉层的制备 | 第73-96页 |
| 3．1 引言 | 第73-74页 |
| 3．2 FED器件荧光粉层的厚度模型 | 第74-76页 |
| 3．3 电泳法沉积荧光粉层 | 第76-82页 |
| 3．3．1 实验准备、实验过程和测试方法 | 第76-78页 |
| A． 实验准备 | 第76-77页 |
| B． 实验过程 | 第77页 |
| C． 测试方法 | 第77-78页 |
| 3．3．2 实验结果和讨论 | 第78-82页 |
| A． 荧光粉层的沉积重量 | 第78-79页 |
| B． 光致发光谱和光致发光强度 | 第79-81页 |
| C． 荧光粉层的表面形貌 | 第81-82页 |
| 3．3．3 荧光粉层粘结性的获得 | 第82页 |
| 3．4 Na2SiO3水溶液后处理增强荧光粉层粘结性 | 第82-94页 |
| 3．4．1 新型粘结剂的选择 | 第82-83页 |
| 3．4．2 Na2SiO3水溶液后处理的处理过程和表征方法 | 第83-85页 |
| A． 处理过程 | 第83页 |
| B． 表征方法 | 第83-85页 |
| 3．4．3 Na2SiO3水溶液后处理的实验结果和讨论 | 第85-94页 |
| A． 光致发光性能 | 第85-86页 |
| B． 微观形貌 | 第86-87页 |
| C． 深度方向元素分布 | 第87-89页 |
| D． 场致反光强度 | 第89-91页 |
| E． 粘结性、粉层破坏及其机制 | 第91-94页 |
| 3．5 本章小结 | 第94页 |
| 本章参考文献 | 第94-96页 |
| 第四章 ZnO:Zn荧光薄膜发光特性研究 | 第96-121页 |
| 4．1 引言 | 第96页 |
| 4．2 离子束辅助沉积ZnO:Zn荧光薄膜发光机理研究 | 第96-109页 |
| 4．2．1 ZnO:Zn荧光薄膜的制备和热处理 | 第96-99页 |
| 4．2．2 ZnO:Zn荧光薄膜的成分、结构和表面形貌 | 第99-103页 |
| 4．2．3 ZnO:Zn荧光薄膜的Hall特性 | 第103-104页 |
| 4．2．4 ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光特性及其影响因素 | 第104-109页 |
| 4．3 磁过滤弧源沉积法制备ZnO:Zn荧光薄膜发光特性研究 | 第109-119页 |
| 4．3．1 FAD法制备ZnO:Zn荧光薄膜 | 第109-111页 |
| 4．3．2 ZnO:Zn荧光薄膜的结构和沉积速度与FAD参数的关系 | 第111-115页 |
| 4．3．3 ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光强度与FAD参数的关系 | 第115-116页 |
| 4．3．4 ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光强度与表面形貌的联系 | 第116-119页 |
| 4．4 本章小结 | 第119页 |
| 本章参考文献 | 第119-121页 |
| 第五章 总结 | 第121-123页 |
| 简历 | 第123页 |
