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CMOS集成基准电压源设计

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·研究的背景及意义第7-8页
   ·国内外研究现状第8-10页
   ·基准电压源的分类特点及应用第10-11页
   ·研究内容及研究方法第11-13页
     ·研究内容第11页
     ·研究方法第11-13页
第二章 器件的工艺与模型第13-27页
   ·CMOS工艺第13-19页
     ·有源器件第13-14页
     ·无源器件第14-19页
   ·CMOS器件模型第19-23页
     ·大信号模型第19-22页
     ·小信号模型第22-23页
   ·双极型器件模型第23-25页
   ·影响双极型器件模型的因素第25-27页
第三章 基准电压源的基本原理第27-46页
   ·带隙基准电压源的基本原理第27-36页
     ·基准电压源的温度特性第27-31页
     ·基准电压源的性能参数第31-32页
     ·与温度无关的基准第32-36页
   ·传统的两种结构第36-41页
     ·基于双极型工艺的带隙基准电压源第36-39页
     ·基于CMOS工艺的带隙基准源电路第39-41页
   ·基准电压源的分类性能比较第41-46页
     ·隐埋齐纳二极管基准电压源第41-43页
     ·带隙基准电压源第43-44页
     ·XFET基准电压源第44-46页
第四章 带隙基准电压源的电路设计第46-62页
   ·设计思路第46-47页
   ·子电路的设计第47-55页
     ·基准核心产生电路第47-51页
     ·启动隔离电路第51-52页
     ·电压箝位电路第52-54页
     ·输出缓冲级第54-55页
   ·整体电路装配、仿真结果及分析第55-62页
     ·整体电路图组装第55-57页
     ·各参数指标仿真结果及分析第57-62页
第五章 版图设计第62-65页
第六章 结论第65-66页
   ·本设计的情况第65页
   ·对芯片最终性能的预测第65-66页
致谢第66-67页
主要参考文献第67-69页
附录第69-73页

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