CMOS集成基准电压源设计
中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第7-13页 |
·研究的背景及意义 | 第7-8页 |
·国内外研究现状 | 第8-10页 |
·基准电压源的分类特点及应用 | 第10-11页 |
·研究内容及研究方法 | 第11-13页 |
·研究内容 | 第11页 |
·研究方法 | 第11-13页 |
第二章 器件的工艺与模型 | 第13-27页 |
·CMOS工艺 | 第13-19页 |
·有源器件 | 第13-14页 |
·无源器件 | 第14-19页 |
·CMOS器件模型 | 第19-23页 |
·大信号模型 | 第19-22页 |
·小信号模型 | 第22-23页 |
·双极型器件模型 | 第23-25页 |
·影响双极型器件模型的因素 | 第25-27页 |
第三章 基准电压源的基本原理 | 第27-46页 |
·带隙基准电压源的基本原理 | 第27-36页 |
·基准电压源的温度特性 | 第27-31页 |
·基准电压源的性能参数 | 第31-32页 |
·与温度无关的基准 | 第32-36页 |
·传统的两种结构 | 第36-41页 |
·基于双极型工艺的带隙基准电压源 | 第36-39页 |
·基于CMOS工艺的带隙基准源电路 | 第39-41页 |
·基准电压源的分类性能比较 | 第41-46页 |
·隐埋齐纳二极管基准电压源 | 第41-43页 |
·带隙基准电压源 | 第43-44页 |
·XFET基准电压源 | 第44-46页 |
第四章 带隙基准电压源的电路设计 | 第46-62页 |
·设计思路 | 第46-47页 |
·子电路的设计 | 第47-55页 |
·基准核心产生电路 | 第47-51页 |
·启动隔离电路 | 第51-52页 |
·电压箝位电路 | 第52-54页 |
·输出缓冲级 | 第54-55页 |
·整体电路装配、仿真结果及分析 | 第55-62页 |
·整体电路图组装 | 第55-57页 |
·各参数指标仿真结果及分析 | 第57-62页 |
第五章 版图设计 | 第62-65页 |
第六章 结论 | 第65-66页 |
·本设计的情况 | 第65页 |
·对芯片最终性能的预测 | 第65-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
主要参考文献 | 第67-69页 |
附录 | 第69-73页 |