| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 SiC材料以及应用 | 第17-18页 |
| 1.2 SiC缺陷简介 | 第18-20页 |
| 1.3 d0磁性 | 第20-23页 |
| 1.3.1 d0磁性的发现 | 第20-21页 |
| 1.3.2 磁性表征对于d0磁性研究的重要意义 | 第21-23页 |
| 1.4 小注入的原因 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及安排 | 第24-25页 |
| 第二章 样品的制备和表征方法 | 第25-35页 |
| 2.1 常用的半导体材料测试方法 | 第25-30页 |
| 2.1.1 拉曼光谱 | 第26-28页 |
| 2.1.2 非接触式霍尔效应测试 | 第28-29页 |
| 2.1.3 深能级瞬态谱 | 第29-30页 |
| 2.2 样品制备 | 第30-32页 |
| 2.2.2 样品的清洗 | 第32页 |
| 2.3 离子注入技术 | 第32-34页 |
| 2.3.1 离子注入技术简介 | 第33页 |
| 2.3.2 离子注入的特点 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 SiC损伤仿真 | 第35-43页 |
| 3.1 SRIM程序简介 | 第35-36页 |
| 3.2 DPA计算方法 | 第36-41页 |
| 3.2.1 不同离子注入条件下的DPA分析 | 第38-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 Ar、Xe、Au、C、O离子注入线性回归分析 | 第43-51页 |
| 4.1 磁性测量和表征 | 第43-44页 |
| 4.1.1 磁性测量的原理 | 第43-44页 |
| 4.2 回归分析方法的介绍 | 第44-45页 |
| 4.3 不同离子注入条件见下的回归分析 | 第45-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 H离子小注入 | 第51-67页 |
| 5.1 磁性表征 | 第51-53页 |
| 5.2 拉曼光谱对回归分析的支撑作用 | 第53-56页 |
| 5.2.1 拉曼光谱在缺陷分析上的应用的介绍 | 第53-54页 |
| 5.2.2 拉曼光谱对缺陷的表征 | 第54-56页 |
| 5.3 电学性能测试 | 第56-60页 |
| 5.3.1 Hall效应测试 | 第56-57页 |
| 5.3.2 拉曼光谱电学分析 | 第57-60页 |
| 5.4 N型4H-SiC中小剂量注入诱生缺陷的深能级瞬态谱研究 | 第60-65页 |
| 5.4.1 深能级瞬态谱缺陷分析 | 第62-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 结论和展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |