| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯-砷化镓肖特基结 | 第10-17页 |
| 1.3 高电子迁移率晶体管(HEMT) | 第17-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 石墨烯-砷化镓肖特基结二极管的研究 | 第21-33页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 石墨烯-砷化镓肖特基二极管的制备 | 第22-25页 |
| 2.3 制备工艺及参数 | 第25页 |
| 2.4 二极管的测试结果与分析 | 第25-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 石墨烯-砷化镓肖特基结近红外探测器的研究 | 第33-46页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 器件的结构及制备工艺 | 第34-35页 |
| 3.3 石墨烯光电探测器的工作机理 | 第35-36页 |
| 3.4 Graphene/InAsQDs/GaAs近红外探测器的光电特性研究 | 第36-42页 |
| 3.5 Graphene/GaAs近红外探测器的光电特性研究 | 第42-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 石墨烯-砷化镓HEMT微波及太赫兹响应的研究 | 第46-58页 |
| 4.1 引言 | 第46-48页 |
| 4.2 器件的结构与制备工艺 | 第48-49页 |
| 4.2.1 器件结构图 | 第48页 |
| 4.2.2 器件制备工艺 | 第48-49页 |
| 4.3 测试装置原理图 | 第49页 |
| 4.4 测试结果及分析 | 第49-57页 |
| 4.4.1 石墨烯沟道电阻 | 第49-50页 |
| 4.4.2 转移特性曲线 | 第50页 |
| 4.4.3 微波响应测试 | 第50-54页 |
| 4.4.4 太赫兹响应测试 | 第54-56页 |
| 4.4.5 结果分析 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 总结与展望 | 第58-61页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
