浮空P区结构CSTBT的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 IGBT的发展概述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 第1代IGBT | 第11页 |
| 1.1.2 第2代IGBT | 第11-12页 |
| 1.1.3 第3代IGBT | 第12页 |
| 1.1.4 第4代IGBT | 第12-13页 |
| 1.1.5 第5代IGBT | 第13页 |
| 1.2 载流子增强技术发展概述 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第15页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 IGBT的基本理论 | 第16-32页 |
| 2.1 平面栅IGBT的两种基本结构以及理论分析 | 第16-18页 |
| 2.2 平面栅IGBT的正向导通特性 | 第18-21页 |
| 2.2.1 MOS/PIN模型 | 第18-20页 |
| 2.2.2 MOS/PNP模型 | 第20-21页 |
| 2.3 平面栅IGBT的阻断特性 | 第21-24页 |
| 2.3.1 正向阻断特性 | 第21-23页 |
| 2.3.2 反向阻断特性 | 第23-24页 |
| 2.4 平面栅IGBT的闩锁效应 | 第24-25页 |
| 2.5 平面栅IGBT的开关特性 | 第25-26页 |
| 2.5.1 平面栅IGBT的电容 | 第25-26页 |
| 2.6 简介几种沟槽型IGBT | 第26-31页 |
| 2.6.1 沟槽栅IGBT简介 | 第27-28页 |
| 2.6.2 沟槽栅IEGT简介 | 第28-29页 |
| 2.6.3 CSTBT简介 | 第29-30页 |
| 2.6.4 浮空P区结构CSTBT简介 | 第30-31页 |
| 2.7 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 浮空P区结构CSTBT元胞的设计 | 第32-52页 |
| 3.1 工艺菜单设计 | 第32-34页 |
| 3.2 浮空P区结构CSTBT元胞参数仿真 | 第34-50页 |
| 3.2.1 N-漂移区参数 | 第35-39页 |
| 3.2.2 P型区仿真 | 第39-41页 |
| 3.2.3 CS层仿真 | 第41-42页 |
| 3.2.4 FS层和P+集电极仿真 | 第42-43页 |
| 3.2.5 沟槽结构仿真 | 第43-45页 |
| 3.2.6 元胞宽度以及浮空P区宽度仿真 | 第45-48页 |
| 3.2.7 浮空P区剂量仿真 | 第48-49页 |
| 3.2.8 最终工艺 | 第49-50页 |
| 3.3 浮空P区结构CSTBT关断特性仿真 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 浮空P区结构CSTBT版图的设计 | 第52-60页 |
| 4.1 终端仿真 | 第52-57页 |
| 4.1.1 多晶硅场板长度仿真 | 第52-54页 |
| 4.1.2 场限环仿真 | 第54-57页 |
| 4.2 版图绘制 | 第57-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士期间获得的成果 | 第65页 |
