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浮空P区结构CSTBT的设计

摘要第5-6页
abstract第6页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 IGBT的发展概述第9-13页
        1.1.1 第1代IGBT第11页
        1.1.2 第2代IGBT第11-12页
        1.1.3 第3代IGBT第12页
        1.1.4 第4代IGBT第12-13页
        1.1.5 第5代IGBT第13页
    1.2 载流子增强技术发展概述第13-15页
    1.3 本文的研究意义第15页
    1.4 本文的主要工作第15-16页
第二章 IGBT的基本理论第16-32页
    2.1 平面栅IGBT的两种基本结构以及理论分析第16-18页
    2.2 平面栅IGBT的正向导通特性第18-21页
        2.2.1 MOS/PIN模型第18-20页
        2.2.2 MOS/PNP模型第20-21页
    2.3 平面栅IGBT的阻断特性第21-24页
        2.3.1 正向阻断特性第21-23页
        2.3.2 反向阻断特性第23-24页
    2.4 平面栅IGBT的闩锁效应第24-25页
    2.5 平面栅IGBT的开关特性第25-26页
        2.5.1 平面栅IGBT的电容第25-26页
    2.6 简介几种沟槽型IGBT第26-31页
        2.6.1 沟槽栅IGBT简介第27-28页
        2.6.2 沟槽栅IEGT简介第28-29页
        2.6.3 CSTBT简介第29-30页
        2.6.4 浮空P区结构CSTBT简介第30-31页
    2.7 本章小结第31-32页
第三章 浮空P区结构CSTBT元胞的设计第32-52页
    3.1 工艺菜单设计第32-34页
    3.2 浮空P区结构CSTBT元胞参数仿真第34-50页
        3.2.1 N-漂移区参数第35-39页
        3.2.2 P型区仿真第39-41页
        3.2.3 CS层仿真第41-42页
        3.2.4 FS层和P+集电极仿真第42-43页
        3.2.5 沟槽结构仿真第43-45页
        3.2.6 元胞宽度以及浮空P区宽度仿真第45-48页
        3.2.7 浮空P区剂量仿真第48-49页
        3.2.8 最终工艺第49-50页
    3.3 浮空P区结构CSTBT关断特性仿真第50-51页
    3.4 本章小结第51-52页
第四章 浮空P区结构CSTBT版图的设计第52-60页
    4.1 终端仿真第52-57页
        4.1.1 多晶硅场板长度仿真第52-54页
        4.1.2 场限环仿真第54-57页
    4.2 版图绘制第57-59页
    4.3 本章小结第59-60页
第五章 结论第60-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-65页
攻读硕士期间获得的成果第65页

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