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基于近/亚阈值标准单元库的数字电路设计与研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-15页
    1.1 研究背景第11-12页
    1.2 国内外研究现状第12-13页
    1.3 本文研究内容和意义第13-14页
    1.4 本文主要工作第14-15页
第二章 近/亚阈值数字电路设计基础理论第15-34页
    2.1 最低能耗点理论第15-23页
        2.1.1 数字电路能耗分析第15-20页
            2.1.1.1 静态能耗分析第15-18页
            2.1.1.2 动态能耗分析第18-20页
        2.1.2 最低能耗点理论分析第20-22页
        2.1.3 最低能耗点的影响因素第22-23页
    2.2 低压MOS器件与标准单元特性第23-32页
        2.2.1 性能恶化第23-24页
        2.2.2 上拉下拉失配增大第24-25页
        2.2.3 温度反型效应第25-27页
        2.2.4 短沟道效应和反短沟道效应第27-31页
        2.2.5 窄沟道效应和反窄沟道效应第31-32页
    2.3 近/亚阈值电路优化技术第32-33页
        2.3.1 尺寸设计技术第32页
        2.3.2 多阈值技术第32-33页
        2.3.4 电压调节技术第33页
        2.3.5 衬底偏置技术第33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 标准单元库设计技术第34-47页
    3.1 标准单元库介绍第34-38页
        3.1.1 标准单元的基本介绍第34-36页
        3.1.2 标准单元的基本类型第36-37页
        3.1.3 标准单元库的结构第37-38页
    3.2 标准单元库设计流程第38-46页
        3.2.1 电路设计与版图设计第39-40页
        3.2.2 时序库的建立第40-43页
        3.2.3 物理库的建立第43-46页
            3.2.3.1 LEF文件的提取第43-45页
            3.2.3.2 Milkyway库的生成第45-46页
    3.3 本章小结第46-47页
第四章 亚阈值数字标准单元库设计第47-64页
    4.1 电源电压的确定第47-48页
    4.2 单元种类选择与结构设计第48-52页
        4.2.1 单元种类的选择第50页
        4.2.2 单元结构设计第50-52页
    4.3 标准单元设计第52-57页
        4.3.1 仿真环境第52页
        4.3.2 设计方案第52-57页
            4.3.2.1 目标函数第52-53页
            4.3.2.2 尺寸设计第53-56页
            4.3.2.3 版图设计第56-57页
    4.4 库文件提取第57-60页
        4.4.1 时序库文件的生成第57-60页
        4.4.2 物理库文件的生成第60页
    4.5 单元稳定性评价第60-62页
    4.6 单元库验证第62-63页
    4.7 本章小结第63-64页
第五章 亚阈值数字电路设计第64-72页
    5.1 16 位乘法器设计第64-67页
        5.1.1 乘法器结构设计第64-66页
        5.1.2 仿真与对比分析第66-67页
    5.2 FIR滤波器设计第67-71页
        5.2.1 滤波器设计第68-69页
        5.2.2 功能验证第69-70页
        5.2.3 仿真与对比分析第70-71页
    5.3 本章小结第71-72页
第六章 总结与展望第72-74页
    6.1 总结第72页
    6.2 展望第72-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-79页
攻读硕士学位期间取得的成果第79页

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