基于近/亚阈值标准单元库的数字电路设计与研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文研究内容和意义 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 近/亚阈值数字电路设计基础理论 | 第15-34页 |
| 2.1 最低能耗点理论 | 第15-23页 |
| 2.1.1 数字电路能耗分析 | 第15-20页 |
| 2.1.1.1 静态能耗分析 | 第15-18页 |
| 2.1.1.2 动态能耗分析 | 第18-20页 |
| 2.1.2 最低能耗点理论分析 | 第20-22页 |
| 2.1.3 最低能耗点的影响因素 | 第22-23页 |
| 2.2 低压MOS器件与标准单元特性 | 第23-32页 |
| 2.2.1 性能恶化 | 第23-24页 |
| 2.2.2 上拉下拉失配增大 | 第24-25页 |
| 2.2.3 温度反型效应 | 第25-27页 |
| 2.2.4 短沟道效应和反短沟道效应 | 第27-31页 |
| 2.2.5 窄沟道效应和反窄沟道效应 | 第31-32页 |
| 2.3 近/亚阈值电路优化技术 | 第32-33页 |
| 2.3.1 尺寸设计技术 | 第32页 |
| 2.3.2 多阈值技术 | 第32-33页 |
| 2.3.4 电压调节技术 | 第33页 |
| 2.3.5 衬底偏置技术 | 第33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 标准单元库设计技术 | 第34-47页 |
| 3.1 标准单元库介绍 | 第34-38页 |
| 3.1.1 标准单元的基本介绍 | 第34-36页 |
| 3.1.2 标准单元的基本类型 | 第36-37页 |
| 3.1.3 标准单元库的结构 | 第37-38页 |
| 3.2 标准单元库设计流程 | 第38-46页 |
| 3.2.1 电路设计与版图设计 | 第39-40页 |
| 3.2.2 时序库的建立 | 第40-43页 |
| 3.2.3 物理库的建立 | 第43-46页 |
| 3.2.3.1 LEF文件的提取 | 第43-45页 |
| 3.2.3.2 Milkyway库的生成 | 第45-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 亚阈值数字标准单元库设计 | 第47-64页 |
| 4.1 电源电压的确定 | 第47-48页 |
| 4.2 单元种类选择与结构设计 | 第48-52页 |
| 4.2.1 单元种类的选择 | 第50页 |
| 4.2.2 单元结构设计 | 第50-52页 |
| 4.3 标准单元设计 | 第52-57页 |
| 4.3.1 仿真环境 | 第52页 |
| 4.3.2 设计方案 | 第52-57页 |
| 4.3.2.1 目标函数 | 第52-53页 |
| 4.3.2.2 尺寸设计 | 第53-56页 |
| 4.3.2.3 版图设计 | 第56-57页 |
| 4.4 库文件提取 | 第57-60页 |
| 4.4.1 时序库文件的生成 | 第57-60页 |
| 4.4.2 物理库文件的生成 | 第60页 |
| 4.5 单元稳定性评价 | 第60-62页 |
| 4.6 单元库验证 | 第62-63页 |
| 4.7 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 亚阈值数字电路设计 | 第64-72页 |
| 5.1 16 位乘法器设计 | 第64-67页 |
| 5.1.1 乘法器结构设计 | 第64-66页 |
| 5.1.2 仿真与对比分析 | 第66-67页 |
| 5.2 FIR滤波器设计 | 第67-71页 |
| 5.2.1 滤波器设计 | 第68-69页 |
| 5.2.2 功能验证 | 第69-70页 |
| 5.2.3 仿真与对比分析 | 第70-71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 总结 | 第72页 |
| 6.2 展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第79页 |
