浅槽功率DMOS器件的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9页 |
| 1.1.1 选题的背景 | 第9页 |
| 1.2 功率MOS发展历程及趋势 | 第9-13页 |
| 1.3 槽栅DMOS的发展现状 | 第13-15页 |
| 1.4 功率DMOS主要技术特点 | 第15-16页 |
| 1.5 静态特性 | 第16-18页 |
| 1.6 动态特性 | 第18-19页 |
| 1.7 本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 浅槽栅DMOS简述 | 第20-31页 |
| 2.1 浅槽栅DMOS的基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2 阈值电压 | 第21-22页 |
| 2.3 导通电阻 | 第22-24页 |
| 2.4 击穿电压 | 第24-26页 |
| 2.5 漏源电流 | 第26页 |
| 2.6 栅电荷 | 第26-27页 |
| 2.7 栅电荷曲线分析 | 第27-30页 |
| 2.8 安全工作区 | 第30页 |
| 2.9 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 35V浅槽栅DMOS的元胞设计 | 第31-48页 |
| 3.1 仿真软件与仿真流程 | 第31-32页 |
| 3.2 元胞的设计 | 第32-39页 |
| 3.2.1 外延层材料的电阻率与厚度的选择 | 第32-34页 |
| 3.2.2 P体区的结深设计 | 第34-36页 |
| 3.2.3 栅氧化层厚度的设计 | 第36-37页 |
| 3.2.4 沟槽的设计 | 第37-39页 |
| 3.3 工艺设计与器件仿真 | 第39-44页 |
| 3.3.1 工艺流程 | 第39-41页 |
| 3.3.2 工艺流程中的关键点 | 第41页 |
| 3.3.3 阈值电压 | 第41-42页 |
| 3.3.4 击穿电压 | 第42-43页 |
| 3.3.5 栅漏电容 | 第43-44页 |
| 3.4 终端结构设计 | 第44-45页 |
| 3.5 版图设计与绘制 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 验证及结果分析 | 第48-54页 |
| 4.1 晶圆片测试 | 第48-50页 |
| 4.2 封装后测试 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第59-60页 |
