| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 前言 | 第9-10页 |
| 第一章 半导体与外延层的关系 | 第10-17页 |
| 1.1 半导体概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 什么是半导体 | 第10页 |
| 1.1.2 半导体发展的历史及趋势 | 第10-12页 |
| 1.1.3 半导体的分类和特点 | 第12-13页 |
| 1.1.4 晶圆的制造 | 第13页 |
| 1.2 外延层的地位 | 第13-14页 |
| 1.2.1 外延层的定义 | 第13页 |
| 1.2.2 外延层的作用 | 第13-14页 |
| 1.3 外延产品的市场 | 第14-15页 |
| 1.4 使用外延片可能存在的问题 | 第15-17页 |
| 第二章 外延层工艺 | 第17-30页 |
| 2.1 外延层生长概述 | 第17-18页 |
| 2.2 外延生长几种分类方法 | 第18-19页 |
| 2.3 外延层的基本结构 | 第19页 |
| 2.4 气相外延层工艺原理 | 第19-20页 |
| 2.5 外延层生长动力学过程 | 第20-21页 |
| 2.5.1 气-固表面复相化学反应模型 | 第20-21页 |
| 2.5.2 气相均质反应模型 | 第21页 |
| 2.6 外延层的工艺流程 | 第21-23页 |
| 2.7 外延层制成中所要用到的气体 | 第23-24页 |
| 2.8 外延层对衬底的要求 | 第24-25页 |
| 2.8.1 衬底与外延膜的结构匹配 | 第24页 |
| 2.8.2 衬底与外延膜的热膨胀系数匹配 | 第24页 |
| 2.8.3 衬底与外延膜的化学稳定性匹配 | 第24-25页 |
| 2.8.4 材料制备的难易程度及成本的高低 | 第25页 |
| 2.9 外延层生长用的原料及优缺点 | 第25页 |
| 2.10 各种制成参数对生长速率的影响 | 第25-27页 |
| 2.10.1 气体浓度对生长速率的影响 | 第25-26页 |
| 2.10.2 温度对生长速率的影响 | 第26-27页 |
| 2.10.3 气流速度对生长速率的影响 | 第27页 |
| 2.10.4 衬底晶向对生长速率的影响 | 第27页 |
| 2.11 制程中气体是怎样形成外延层的 | 第27-30页 |
| 第三章 外延层设备 | 第30-35页 |
| 3.1 外延层设备分类 | 第30-31页 |
| 3.1.1 按结构的分类 | 第30页 |
| 3.1.2 按加热方式的分类 | 第30页 |
| 3.1.3 气相外延设备的主要结构 | 第30-31页 |
| 3.2 反应器 | 第31-32页 |
| 3.3 加热装置 | 第32-33页 |
| 3.4 气体控制系统 | 第33-34页 |
| 3.5 气体净化装置 | 第34页 |
| 3.6 压力控制装置 | 第34-35页 |
| 第四章 外延层的重点参数控制 | 第35-42页 |
| 4.1 缺陷控制 | 第35-37页 |
| 4.1.1 外延层的缺陷 | 第36-37页 |
| 4.2 外延层厚度控制 | 第37-39页 |
| 4.2.1 外延层厚度和加热温度的关系 | 第37-38页 |
| 4.2.2 外延层厚度和硅源浓度的关系 | 第38页 |
| 4.2.3 外延层厚度和时间的关系 | 第38页 |
| 4.2.4 外延层厚度和氢气流量的关系 | 第38-39页 |
| 4.3 外延层阻抗控制 | 第39-41页 |
| 4.4 外延层污染控制 | 第41-42页 |
| 第五章 解决外延生长问题的实例 | 第42-50页 |
| 5.1 压力控制导致厚度异常的实例 | 第42-45页 |
| 5.2 外延生长时的位错(DISLOCATION)缺陷问题实例 | 第45-50页 |
| 第六章 总结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |